Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del P-canal del transistor de poder de NDS356AP

Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del P-canal de NDS356AP

Descripción general

Los transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento del nivel de la lógica del P-canal SuperSOTTM-3 se producen usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Este proceso muy de alta densidad se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado. Estos dispositivos se adaptan particularmente para los usos de la baja tensión tales como gestión del poder del ordenador portátil, electrónica portátil, y otros circuitos con pilas donde la transferencia rápida del alto-lado, y el apagón en línea bajo se necesitan en un paquete muy pequeño del soporte de la superficie del esquema.

Características

►-1.1 A, -30 V, RDS (ENCENDIDO) = 0,3 W @ VGS=-4.5 V

                      RDS (ENCENDIDO) = 0,2 W @ VGS=-10 V.

paquete estándar ►Industry del soporte de la superficie del esquema SOT-23

usando el diseño propietario SuperSOTTM-3 para la termal superior

y capacidades eléctricas.

Diseño de alta densidad de la célula del ► para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO).

en-resistencia del ►Exceptional y capacidad de la corriente de DC del máximo.

Grados máximos absolutos TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

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