GaAs Ired del transistor del Mosfet del poder TLP734 nuevo y original y transistor de la foto

Fotocoupler TOSHIBA GaAs Ired & Photo-Transistor

TLP733, TLP734

Máquina de oficina

Equipo de uso doméstico

Relé de estado sólido

Fuente de alimentación conmutada

Los TOSHIBA TLP733 y TLP734 consisten en un fototransistor acoplado ópticamente a un diodo emisor de infrarrojos de arseniuro de galio en un DIP de plástico de seis plomos.

TLP734 es una conexión interna sin base para entornos de alto EMI.

• Tensión colector-emisor: 55 V (min.)
• Relación de transferencia de corriente: 50% (min.)
  • Rango GB: 100% (min.)
• UL reconocido: UL1577, archivo no. E67349
• Aprobado BSI: BS EN60065: 1994
  • Certificado no. 7364
  • BS EN60950: 1992
  • Certificado no. 7365
• SEMKO aprobado: SS4330784
  • Certificado no. 9325163, 9522142
• Tensión de aislamiento: 4000 Vrms (min.)
• Tipo de opción (D4)
  • VDE aprobado: DIN VDE0884 / 06.92,
    • Certificado no. 74286, 91808
  • Tensión máxima de aislamiento de funcionamiento: 630, 890 VPK
  • Máxima tensión admisible: 6000, 8000 VPK

(Nota) Cuando se necesita un tipo aprobado por VDE0884, por favor designe la "Opción (D4)"

7,62 mm pich 10,16 mm pich

estándar Modelo de TLP ××× F

Distancia de penetración: 7,0 mm (min.) 8,0 mm (min.)

Espesor: 7.0 mm (min.) 8.0 mm (min.)

Línea de fuga interna: 4,0 mm (min.) 4,0 mm (min.)

Espesor del aislamiento: 0,5 mm (min.) 0,5 mm (min.)

Puntuaciones máximas (Ta = 25 ° C)

Peso: 0.42 g

Configuraciones Pin (vista superior)

TLP733

1: Ánodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emisor 5: Colector 6: Base

TLP734

1: Ánodo 2: Cátodo 3: Nc 4: Emisor 5: Colector 6: Nc

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