Energía baja carril de 10 megaciclos - - cerque los amplificadores operativos LM6134BIM de la entrada-salida con barandilla

Energía baja del patio de LM6132 Dual/LM6134 amplificadores operativos de la entrada-salida del Carril-a-carril de 10 megaciclos

Descripción general

El LM6132/34 proporciona nuevos niveles de velocidad contra funcionamiento del poder en los usos donde las fuentes de la baja tensión o las limitaciones del poder previamente hicieron compromiso necesario. Con la corriente de la fuente de solamente 360 µA/amp, el aumento-ancho de banda de 10 megaciclos de este dispositivo apoya los nuevos usos portátiles donde los dispositivos de mayor potencia drenan inaceptable vida de batería.

El LM6132/34 se puede conducir por los voltajes que exceden ambos carriles de la fuente de alimentación, así la eliminación trata sobre exceder la gama del voltaje del común-modo. La capacidad del oscilación de la salida del carril-a-carril proporciona el rango dinámico posible máximo en la salida. Esto es particularmente importante al actuar en voltajes de fuente bajos. El LM6132/34 puede también conducir cargas capacitivas grandes sin la oscilación.

Actuando en fuentes desde 2.7V a 24V excesivo, el LM6132/34 es excelente para una gama de usos muy amplia, de sistemas con pilas con requisitos grandes del ancho de banda a la instrumentación de alta velocidad.

Características

(Para 5V la fuente, tipo a menos que sea conocido)

• Entrada CMVR −0.25V del Carril-a-carril a 5.25V
• Oscilación 0.01V de la salida del Carril-a-carril a 4.99V
• Alto aumento-ancho de banda, 10 megaciclos en 20 kilociclos
• Tarifa de ciénaga 12 V/µs
• Corriente baja 360 µA/Amp de la fuente
• Gama ancha 2.7V de la fuente a 24V excesivo
• DB de CMRR 100
• DB del aumento 100 con R_L = 10k
• DB de PSRR 82

Usos

• Instrumentación con pilas
• Amplificadores de la instrumentación
• Escáneres portátiles
• Comunicaciones inalámbricas
• Conductor de la pantalla plana

Diagramas de conexión

Grados máximos absolutos (nota 1)

Si los militares/el espacio aéreo especificaron los dispositivos se requieren, entran en contacto con por favor los distribuidores nacionales de la oficina de ventas del semiconductor para la disponibilidad y las especificaciones.

Tolerancia del ESD (nota 2) 2500V

Voltaje de entrada diferenciada 15V

Voltaje en Pin de la entrada-salida (V ⁺) +0.3V, (^{− de} V) −0.3V

Voltaje de fuente (V ⁺ – ^{− de} V) 35V

Corriente en Pin ±10 mA de la entrada

Corriente en Pin de la salida (nota 3) ±25 mA

Corriente en el Pin de la fuente de alimentación 50 mA

Temporeros de la ventaja. (el soldar, sec 10.)                                                              260˚C

Gama de temperaturas −65˚C de almacenamiento a +150˚C

Temperatura de empalme (nota 4) 150˚C

Grados de funcionamiento (nota 1)

≤ del voltaje de fuente 1.8V CONTRA el ≤ 24V

Gama de temperaturas de empalme

    LM6132, ≤ +85˚C del ≤ TJ de LM6134 −40˚C

Resistencia termal (θ_JA)

    El paquete de N, perno 8 moldeó la INMERSIÓN 115˚C/W

    Paquete de M, soporte superficial 193˚C/W de 8 pernos

    El paquete de N, perno 14 moldeó la INMERSIÓN 81˚C/W

    Paquete de M, soporte superficial 126˚C/W de 14 pernos

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