Retransmisión de estado sólido TLP523-4 del módulo de salida del Ic DC del circuito integrado - circuitboardchips

Retransmisión de estado sólido TLP523-4 del módulo de salida del Ic DC del circuito integrado

Número de modelo:TLP523-4
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:4800pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−Transistor

TLP523, TLP523−2, TLP523−4

RELE programable controladores DC−Output módulo sólido estado

El TOSHIBA TLP523, −2 y −4 consta de un infrarrojo de Arseniuro de galio diodo junto con silicio, darlington conectado, fototransistor que tiene una resistencia de base−emitter integral para optimizar el cambio de características de velocidad y temperatura elevada.

El TLP523−2 ofrece dos canales aislados en un paquete DIP plástico ocho plomo, mientras que el TLP523−4 proporcionan cuatro canales aislados por paquete.

* Corriente relación transferencia: 500% (min) (IF = 1 mA)

* Voltaje del aislamiento: 2500 Vrms (min.)

* Collector−emitter voltaje: 55 V (min.)

* Corriente de fuga: 10μA (máx.) (Ta = 85° C)

* Reconocidos por la UL: UL1577, archivo no. Pin E67349

Configuraciones de PIN (vista superior)

Grados máximos absolutos (Ta = 25° C)

CaracterísticaSímboloValorarUnidad
TLP523

TLP523−2

TLP523-4

LEDCorriente directaIF6050mA
Adelante la reducción actualΔIF / ° C−0.7 (Ta ≥ 39 ° C)−0.5 (Ta ≥ 25 ° C)mA / ° C
Pulso de corriente directaQueFP1 (pulso 100μs 100pps)A
Voltaje reversoVR5V
Detector deCollector−emitter voltajeVDirector General55V
Emitter−Collector voltajeVECO0.3V
Corriente de colectorIC150mA
Disipación de energía del colector (1 circuito)PC150100mW

Reducción de disipación de energía colector

(1 circuito Ta ≥ 25° C)

ΔPC / ° C-1.5-1,0mW / ° C
Temperatura de almacenamientoTstg−55 ~ 100° C
Rango de temperaturaTopr−55 ~ 125° C
Temperature(10s) de soldadura de plomoTsol260° C
Disipación de energía totalPT250150mW

Reducción de potencia de disipación de potencia total

(Ta ≥ 25 ° C)

ΔPT / ° C-2.5-1.5mW / ° C
Voltaje del aislamiento (Nota 1)BVS2500 (AC, 1min., R.H.≤ 60%)Vrms

Nota: Uso continuo con cargas pesadas (por ejemplo, la aplicación de alta temperatura/corriente/voltaje y el cambio significativo de temperatura, etc.) puede causar este producto a la disminución de la fiabilidad significativamente, incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir, funcionamiento temperatura/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos.

Diseño por favor la fiabilidad adecuada al revisar el manual de fiabilidad de Toshiba Semiconductor ("Precauciones de manejo" / "Concepto reducción y métodos") y los datos de fiabilidad individual (es decir, informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías estimado, etc).

Nota 1: El dispositivo considerado un dispositivo terminal dos: pernos laterales de LED en cortocircuito juntos y pernos laterales de detector en cortocircuito juntos.

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