GaAs Ired y foto - transistor, regulador programable TLP504A-2
Número de modelo:TLP504A-2
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:4800pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Photocoupler GaAs Ired y Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP504A, TLP504A−2
CA de los reguladores programables/retransmisión de estado sólido del módulo de DC−Input
TOSHIBA TLP504A y TLP504A−2 consiste en un photo−transistor ópticamente juntado a un diodo de emisión infrarrojo del arseniuro de galio.
Las ofertas dos de TLP504A aislaron los canales en un paquete plástico de la INMERSIÓN de ocho ventajas, mientras que el TLP504A−2 proporciona cuatro canales aislados en un paquete de la INMERSIÓN de dieciséis plásticos.
• Voltaje de Collector−emitter: 55 V (mínimos)
• Ratio de transferencia actual: fila GB del 50% (Min.): 100% (Min.)
• Voltaje del aislamiento: 2500 Vrms (mínimo)
• UL reconocida: UL1577,
Fichero no E67349
Tipos de conexión (Visión superior)
Grados máximos absolutos (TA = 25°C)
| Característico | Símbolo | Clasificación | Unidad | ||
| TLP504A | TLP504A−2 | ||||
| LED | Corriente delantera | IF | 60 | 50 | mA |
| Corriente delantera que reduce la capacidad normal | ΔIF/°C | −0.7 (≥ de TA 39°C) | −0.5 (≥ de TA 25°C) | mA/°C | |
| El pulso remite la corriente | IPUNTO DE CONGELACIÓN | 1 (100μs pulso, 100pps) | A | ||
| Voltaje reverso | VR | 5 | V | ||
| Temperatura de empalme | Tj | 125 | °C | ||
| Detector | Voltaje de Collector−emitter | VCEO | 55 | V | |
| Voltaje de Emitter−collector | VECO | 7 | V | ||
| Corriente de colector | IC | 50 | mA | ||
| Disipación de poder del colector (1 circuito) | PC | 150 | 100 | mW | |
El reducir la capacidad normal de la disipación de poder del colector (1 ≥ del circuito TA 25°C) | ΔPC/°C | -1,5 | -1,0 | mW/°C | |
| Temperatura de empalme | Tj | 125 | °C | ||
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Stgde T | −55~150 | °C | ||
| Gama de temperaturas de funcionamiento | Oprde T | −55~100 | °C | ||
| Temperatura que suelda de la ventaja | Solenoidede T | 260 (10 s) | °C | ||
| Disipación de poder total del paquete | RT | 250 | 150 | mW | |
El reducir la capacidad normal total de la disipación de poder del paquete (≥ de TA 25°C) | ΔPT/°C | -2,5 | -1,5 | mW/°C | |
| Voltaje del aislamiento | BVS | 2500 (CA, 1min., R.H.≤ el 60%) (Nota 1) | Vrms | ||
Nota: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos.
Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“dirigiendo”/de “de las precauciones que reduce la capacidad normal concepto y los métodos ") y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).
Nota 1: El dispositivo consideraba dos dispositivo terminal: El LED echa a un lado los pernos puso en cortocircuito junto y los pernos laterales del detector pusieron en cortocircuito juntos.
GaAs Ired y foto - transistor, regulador programable TLP504A-2
Carro de la investigación
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