TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127

Número de modelo:30J127
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5200PCS
Plazo de expedición:día 1
Contacta

Add to Cart

Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

TOSHIBA aisló el canal N bipolar IGBT del silicio del transistor de la puerta

GT30J121

 

 

Usos de la transferencia del poder más elevado

Usos rápidos de la transferencia

 

• La 4ta generación

• Aumento-modo

• (FS) que cambia rápido:

Frecuencia de funcionamiento hasta 50 kilociclos (referencia)

Velocidad: tf = 0,05 µs (tipo.)

Pérdida baja de la transferencia: Eón = mJ 1,00 (tipo.)

: Eoff = 0,80 mJ (tipo.)

 

• Voltaje de saturación bajo: VCE (sentado) = 2,0 V (tipo.)

 

 

 

Grados máximos (TA = 25°C)

 CaracterísticasSímbolo  Clasificación Unidad
voltaje del Colector-emisor VCES 600V
voltaje del Puerta-emisorVGES±20V
Disipación de poder del colector (Tc = 25°C)P170W
Temperatura de empalme T150°C
Gama de temperaturas de almacenamiento Stgde T−55 a 150  °C

 

Formas de onda del circuito y de la entrada-salida de la medida del tiempo de la transferencia

China TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127 supplier

TOSHIBA aisló el poder más elevado bipolar del canal N IGBT del silicio del canal N IGBT del silicio del transistor de la puerta que cambiaba 30J127

Carro de la investigación 0