Tipo usos 2SK2611 del convertidor de DC−DC, de la impulsión de la retransmisión y de la impulsión del MOS del canal N del silicio del motor

Número de modelo:2SK2611
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Cantidad de orden mínima:20pcs
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Capacidad de la fuente:10000PCS
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Detalles del producto

 

Transistor de efecto de campo de TOSHIBA

Tipo del MOS del canal N del silicio (π−MOSIII) 2SK2611

 

Usos del convertidor de DC−DC, de la impulsión de la retransmisión y de la impulsión del motor

 

* drain−source bajo EN resistencia: Rdel Ω 1,1delDS(ENCENDIDO) = (tipo.)

* alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 7,0 S (tipo.)

* corriente baja de la salida: IDSS = μA 100 (máximo) (VDS = 720 V)

* Enhancement−mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Peso: 4,6 g (tipo.)

 

Grados máximos absolutos (TA = 25°C)

               Características   Símbolo    Clasificación   Unidad 
  Voltaje de Drain−source   VDSS    900    V
  Voltaje de Drain−gate (RGS = kΩ 20)   VDGR    900    V
  Voltaje de Gate−source   VGSS    ±30    V
  Drene la corriente  DC (nota 1)     ID     9    A
  Pulso (nota 1)     IDP     27    A
  Drene la disipación de poder (Tc = 25°C)     PD    150    W
  Sola energía de la avalancha del pulso (nota 2)    ECOMO     663   mJ
  Corriente de la avalancha    IAR      9    A
  Energía repetidor de la avalancha (nota 3)    EAR      15   mJ
  Temperatura del canal    Tch     150   °C
  Gama de temperaturas de almacenamiento    Stgde T   −55~150   °C

Nota: El usar continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de alta temperatura/de corriente/de voltaje y del cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/corriente/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos. Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“manejando concepto y los métodos de /Derating de las precauciones”) y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).

 

Características termales

            Características   Símbolo        Máximo       Unidad
 Resistencia termal, canal al caso  Rdelth(ch−c)       0,833     °C/W
 Resistencia termal, canal a ambiente  Rdelth(ch−a)         50     °C/W

Nota 1: Utilice por favor los dispositivos a condición de que la temperatura del canal esté debajo de 150°C.

Nota 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (inicial), L = 15 Mh, RG = 25 Ω, IAR = 9 A

Nota 3: Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura máxima del canal

 

Este transistor es un dispositivo sensible electrostático.

Dirija por favor con cautela.

 

Marcado

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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Tipo usos 2SK2611 del convertidor de DC−DC, de la impulsión de la retransmisión y de la impulsión del MOS del canal N del silicio del motor

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