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Procesadores digitales de señales
* Potente TMS320C5x de 16-Bit CPU
* 20, 25, 35- y solo-ciclo de 50 ns
Tiempo de ejecución de la instrucción para la operación de 5 V
* 25, 40 y 50 ns solo-ciclo instrucción
Tiempo de ejecución para la operación de 3 V
* Solo-ciclo 16 × 16-Bit multiplicar o agregar
* 224 K × 16 bits máximo direccionable
Espacio de memoria externa (programa de 64K, de 64 K
Datos, E/S de 64 K y 32 K Global)
* 2K, 4K, 8K, 16K, 32 K × 16 bits solo acceso
Programa de ROM en el Chip
* 1K, 3K, 6K, 9 K × 16 bits solo acceso
RAM (SARAM) / datos del programa de la en-viruta
* 1K acceso Dual de la en-viruta/datos de programa
RAM (DARAM)
* Full-Duplex síncrona Serial Port para
Interfaz de codificador/decodificador
* Puerto de serie tiempo-división-multiplexado (TDM)
* Capacidad de generación de estado de espera hardware o Software
* Contador de tiempo para las operaciones de Control de la en-viruta
* Repita las instrucciones para el uso eficiente del espacio de programa
* Con puerto Serial
* Interfaz del host puerto
* Múltiples lazo fase-bloqueado (PLL)
Opciones de sincronización (× 1 × 2, × 3, × 4, × 5, × 9 dependiendo del dispositivo)
* El bloque se mueve para la gestión de datos/programa
* Emulación basada en la exploración lógica de la en-viruta
* Límite de exploración
* Cinco opciones de envasado
– 100 cuádruple plano pines (sufijo PJ)
-100-pin fino cuádruple paquete plano (sufijo PZ)
– 128 delgada cuádruple plano pines (PBK sufijo)
-Paquete plano cuádruple de 132-pin (PQ sufijo)
-144-pin fino cuádruple paquete plano (PGE sufijo)
* Baja disipación de potencia y energía-abajo los modos:
– 47 mA (2.35 mA/MIP) a 5 V, reloj de 40 MHz (promedio)
-23 mA (1,15 mA/MIP) a 3 V, reloj de 40 MHz (promedio)
– 10 mA a 5 V, reloj de 40 MHz (modo IDLE1)
– 3 mA a 5 V, reloj de 40 MHz (modo IDLE2)
– 5 μA a 5 V, relojes Off (modo IDLE2)
* Tecnología CMOS estático alto rendimiento
* Puerto de la prueba de acceso de IEEE estándar 1149.1† (JTAG)
Descripción
La generación TMS320C5x de los procesadores TMS320 Texas Instruments (TITM) de señal digital (DSPs) es fabricada con tecnología de circuito integrado CMOS estática; el diseño arquitectónico se basa en de un anterior TI DSP, el TMS320C25. La combinación de la avanzada arquitectura de Harvard, de la en-viruta periféricos, memoria en el chip y un conjunto de instrucción altamente especializada es la base de la flexibilidad y la velocidad de los ' dispositivos de C5x‡. Ejecutan hasta 50 millones de instrucciones por segundo (MIPS).
El ' C5x dispositivos ofrecen estas ventajas:
TMS320C50, TMS320LC50, TMS320C51, TMS320LC51, TMS320C53, TMS320LC53
PAQUETE DE PQ
(VISTA SUPERIOR)
grados máximos absolutos en rango de temperatura de aire ambiente (a menos que se indique lo contrario) ('320C5x solamente) †
Gama de voltaje, VDD (ver Nota 3).....-0.3 V a 7 V
Input voltage range, VI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .– 0.3 V to 7 V
Output voltage range, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . – 0.3 V a 7 V
Rango de temperatura ambiente, TA ........................ – 40 ° C a 85 ° C
Operating case temperature, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° C a 85° C
Almacenamiento rango de temperaturas, Tstg ........................................ – 55 ° C a 150 ° C
† Tensiones más allá de ésos enumerados en "grados máximos absolutos" pueden causar daño permanente al dispositivo. Estas son calificaciones estrés único y funcional funcionamiento del dispositivo en estos o cualquier otra condición más allá de las indicadas bajo "condiciones de funcionamiento se recomienda" no está implicado. Exposición a condiciones nominal de máximo absoluto durante períodos prolongados puede afectar a confiabilidad del dispositivo.
Nota 3: Todos los valores de voltaje son con respecto a VSS.
recomienda condiciones de funcionamiento ('320C5x solamente)
MIN MAX NOM | UNIDAD | ||
Voltaje de fuente VDD | 4.75 5 5.25 | V | |
Tensión de alimentación VSS | 0 | V | |
VIH voltaje de entrada de alto nivel | X2/CLKIN, CLKIN2 | 3 VDD + 0.3 | V |
CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | 2.5 VDD + 0.3 | V | |
Todas las otras entradas | 2 VDD + 0.3 | V | |
Nivel bajo deIL V Voltaje de entrada | X2/CLKIN, CLKIN2, CLKX, CLKR, TCLKX, TCLKR | – 0.3 0.7 | V |
Todas las otras entradas | – 0.3 0.8 | V | |
IOH alto nivel salida de corriente (ver nota 4) | – 300‡ | ΜA | |
QueOL corriente de salida nivel bajo | 2 | mA | |
Temperatura TC operativo | 0 85 | ° C | |
Temperatura ambiente de funcionamiento deA T | –40 85 | ° C |
‡ Esto meOH puedo superarse cuando se utiliza una resistencia de 1-kΩ desplegable en el puerto serie TDM TADD salido; sin embargo, esta salida aún cumple con especificaciones VOH bajo estas condiciones.
Nota 4: La figura 9 muestra el circuito de carga de la prueba y figura 10 y figura 11 muestran los niveles de referencia de voltaje.