Amplificadores operativos Tlc271cdr de la energía baja programable de Lincmose

Número de modelo:TLC271CDR
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:4200PCS
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

 

AMPLIFICADORES OPERATIVOS DE BAJA POTENCIA PROGRAMABLES de LinCMOSTM

 

Deriva compensada del voltaje del *Input… típicamente

  0,1 µV/Month, incluyendo los primeros 30 días

Gama del *Wide de voltajes de fuente encima

  Gama de temperaturas especificada:

              0°C a 70°C. 3 V a 16 V

              – 40°C a 85°C. 4 V a 16 V

              – 55°C a 125°C. 5 V a 16 V

*Single-Supply operación

Gama de voltaje de entrada del *Common-Mode

  Extiende debajo del carril negativo (C-sufijo y

   Tipos del Yo-sufijo)

*… 25 nV/√Hz de poco ruido típicamente en

  f = 1 kilociclo (modo del Alto-prejuicio)

La gama del voltaje del *Output incluye el carril negativo

Tipo 1012 del Ω de la impedancia de entrada del *High…

Conjunto de circuitos del *ESD-Protection

Opción del paquete del *Small-Outline también disponible

  en cinta y carrete

Inmunidad del cierre-Para arriba del *Designed-In

 

descripción

El amplificador operativo TLC271 combina una amplia gama de grados compensados del voltaje de la entrada con la deriva compensada del voltaje del punto bajo y la alta impedancia de entrada. Además, el TLC271 ofrece un modo prejuicio-selecto que permita que el usuario seleccione la mejor combinación de disipación de poder y de funcionamiento de la CA para un uso particular. Estos dispositivos utilizan la tecnología de LinCMOSTMde la silicio-puerta de Texas Instruments, que provee de la estabilidad compensada del voltaje que excede lejos la estabilidad disponible procesos convencionales de la metal-puerta.

 

CARACTERÍSTICAS DEL DISPOSITIVO

 † del PARÁMETRO                           MODO DE BIAS-SELECT          UNIDAD
        ALTO     MEDIO      BAJO
    PD        3375        525        50          µW
    SENIOR           3,6         0,4      0,03          V/µs
    Vn            25          32        68       nV/√Hz
    B1           1,7         0,5      0,09          Megaciclo
    UNVD            23         170       480         V/mV

† Típico en VDD = 5 V, TA = 25°C

 

diagrama esquemático equivalente

grados máximos absolutos sobre temperatura de funcionamiento del libre-aire

(a menos que se indicare en forma diferente) †

Voltaje de fuente, DDde V (véase la nota 1)…………………………………………… 18 V

Voltaje de entrada diferenciada, identificaciónde V (véase la nota 2)……………………………………. DDdel ±V

Gama de voltaje de entrada, VI (cualquier entrada)……………………………………. – 0,3DD de V ade V

Corriente de entrada, YOI………………………………………………………. ±5 mA

Corriente de salida, IO……………………………………………………. ±30 mA

Duración de la corriente del cortocircuito en (o abajo) 25°C (véase la nota 3)……………………. Ilimitado

Disipación total continua………………………………. Vea la tabla del grado de la disipación

Temperatura de funcionamiento del libre-aire, TA: Sufijo de C………………………………. .0 °C a 70°C

                                                         Añado como sufijo……………………………… – 40°C a 85°C

                                                        Sufijo de M……………………………. – 55°C a 125°C

Gama de temperaturas de almacenamiento……………………………………….  – 65°C a 150°C

Temperatura de caso por 60 segundos: Las FK empaquetan………………………………… 260°C

Lleve la temperatura 1,6 milímetros (1/16 pulgada) del caso por 10 segundos: Paquete de D o de P…………. .260°C

Temperatura de la ventaja 1,6 milímetros (1/16 pulgada) del caso por 60 segundos: Paquete de JG……………. .300°C

 

Las tensiones del † más allá de ésas enumeradas bajo “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Éstos son grados de la tensión solamente, y la operación funcional del dispositivo en éstos o de cualquier otra condición más allá de ésos indicados debajo “recomendó condiciones de funcionamiento” no se implica. La exposición a las condiciones absoluto-máximo-clasificadas por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

NOTAS: 1. Todos los valores del voltaje, excepto voltajes diferenciados, están en cuanto a la tierra de la red.

                2. los voltajes diferenciados están en IN+ en cuanto a EN.

                3. La salida se puede poner en cortocircuito a cualquier fuente. Los voltajes de la temperatura y/o de fuente se deben limitar para asegurar

                     que el grado máximo de la disipación no está excedido (véase la sección del uso).

 

TABLA DEL GRADO DE LA DISIPACIÓN

PAQUETE

 ≤ 25°C de TA

POTENCIA

REDUCIR LA CAPACIDAD NORMAL DE FACTOR

 SOBRE TA = 25°C

 T POTENCIAA = 70°C

 TA = 85°C

POTENCIA

 TA = 125°C

POTENCIA

   D  725 mW  5,8 mW/°C  464 mW  377 mW  145 mW
  FK  1375 mW  11,0 mW/°C  880 mW  715 mW  275 mW
  JG  1050 mW  8,4 mW/°C  672 mW  546 mW  210 mW
   P  1000 mW  8,0 mW/°C  640 mW  520 mW  200 mW

      

condiciones de funcionamiento recomendadas

     SUFIJO DE C    AÑADO COMO SUFIJO    SUFIJO DE M UNIDAD
   MINUTO MAX   MINUTO MAX   MINUTO MAX
  Voltaje de fuente, DDde V    3 16    4 16    5 16   V

 Modo común

 voltaje de entrada VIC

  VDD = 5 V  – 0,2 3,5  – 0,2 3,5    0 3,5   V
  VDD = 10 V  – 0,2 8,5  – 0,2 8,5    0 8,5
  Temperatura de funcionamiento del libre-aire, TA    0 70  – 40 85   – 55 125  °C

 

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