100V 80A, transistor del Mosfet del poder 9mз calificó a la capacidad FDB3632 del AEC Q101 UIS

Número de modelo:FDB3632
Lugar del origen:Tailandia
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5200PCS
Plazo de expedición:día 1
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Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

FDB3632/FDP3632/FDI3632

MOSFET 100V, 80A, 9mΩ de PowerTrench® del canal N

 

Características

• rDS (ENCENDIDO) = 7.5mΩ (tipo.), VGS = 10V, identificación = 80A

• Qg (bebé) = 84nC (tipo.), VGS = 10V   

• Carga baja de Miller

• Diodo bajo del cuerpo de QRR

• Capacidad de UIS (solo pulso y pulso repetidor)

• Calificado al tipo de desarrollo 82784 del AEC Q101 antes

 

Usos

• Convertidores de DC/DC y UPS off-line

• Arquitecturas distribuidas y VRMs del poder

• Interruptor primario para los sistemas 24V y 48V

• Rectificador síncrono de alto voltaje

• Inyección directa/sistemas de inyección diesel

• control de carga automotriz 42V

• Sistemas electrónicos del tren de válvula

 

 

China 100V 80A, transistor del Mosfet del poder 9mз calificó a la capacidad FDB3632 del AEC Q101 UIS supplier

100V 80A, transistor del Mosfet del poder 9mз calificó a la capacidad FDB3632 del AEC Q101 UIS

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