Nuevo y original 50 TRIAC BTA40-600 del módulo de poder del Mosfet del mA 40A
Número de modelo:BTA40-600
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:850pcs
Plazo de expedición:día 1
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Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
TRIAC 40A
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES:
| Símbolo | Valor | Unidad |
| IT(RMS) | 40 | A |
| VDRM/VRRM | 600 y 800 | V |
| IGT(Q1) | 50 | mA |
DESCRIPCIÓN
Disponible en paquetes del poder más elevado, la serie de
BTA/BTB40-41 es conveniente para la transferencia de fines
generales de la corriente ALTERNA. Pueden ser utilizados como
función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas,
regulación de calefacción, calentadores de agua, motor de inducción
que enciende los circuitos, equipo de soldadura… o para la
operación de control de la fase en reguladores de la velocidad del
motor del poder más elevado, el comienzo suave circula…
Los gracias a su técnica del montaje del clip, proporcionan un
rendimiento superior en la sobretensión que maneja capacidades.
Usando un cojín de cerámica interno, la serie de BTA proporciona
voltaje etiqueta aislada (clasificada en 2500 V RMS) que cumple con
los estándares de la UL (referencia del fichero.: E81734).
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | ||
IT(RMS) | Corriente del en-estado del RMS | RD91 | Tc = 80°C | 40 | A |
| TOP3 | |||||
| Ins TOP3. | Tc = 70°C | ||||
| ITSM | En-estado no repetidor del pico de la oleada | F = 60 herzios | t = ms 16,7 | 420 | A |
| F = 50 herzios | t = ms 20 | 400 | |||
| Él | Valor de I t para fundirse | tp = ms 10 | 880 | Un s | |
| dI/dt | Índice crítico de subida de la corriente del
en-estado | F = 120 herzios | Tj = 125°C | 50 | A/µs |
| VDSM/VRSM | Voltaje no repetidor del apagado-estado del pico de la oleada | tp = ms 10 | Tj = 25°C | VDRM/VRRM | V |
| IGM | Corriente máxima de la puerta | tp = 20 µs | Tj = 125°C | 8 | V |
| PG(SISTEMA DE PESOS AMERICANO) | Disipación de poder media de la puerta | Tj = 125°C | 1 | W | |
Stgde T | Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento | - 40 a + 150 | °C | ||
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj = 25°C, salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Condiciones de prueba | Cuadrante | Valor | Unidad | |
| IGT (1) | VD = 12 V RL = Ω 33 | I - II - III | MÁXIMO. | 50 | mA |
| VGT | TODOS | MÁXIMO. | 1,3 | V | |
| VGD | VD = VDRM RL = 3,3 kΩ Tj = 125°C | TODOS | MÍNIMO. | 0,2 | V |
| IH (2) | IT = 500 mA | MÁXIMO. | 80 | mA | |
| IL | IG = 1,2 IGT | I - III - IV | MÁXIMO. | 70 | mA |
| dV/dt (2) | VD del = puerta T abierto 67% VDRMj = 125°C | MÍNIMO. | 500 | V/µs | |
| (dV/dt) c (2) | (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C | MÍNIMO. | 10 | V/µs | |
Nuevo y original 50 TRIAC BTA40-600 del módulo de poder del Mosfet del mA 40A
Carro de la investigación
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