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Canales elegantes del interruptor del Alto-lado dos: 2 sentido
actual de x 30mΩ
Paquete del resumen del producto
Bb del voltaje de funcionamiento V(encendido) | 5,0… 34V | |
Canales activos | uno | paralelo dos |
resistencia R del En-estadoENCENDIDO | 30mΩ | 15mΩ |
Corriente nominal IL(NOM)de la carga | 5.5A | 8.5A |
Limitación actual IL(SCR) | 24A | 24A |
Descripción general
• El MOSFET vertical del poder del canal N con la bomba de carga,
molió la entrada compatible referida del Cmos,
el sentido actual de la reacción de diagnóstico y de
la carga proporcional integró monolítico en elegante de SIPMOS
tecnología.
• Abastecimiento de funciones protectoras integradas
Usos
• el interruptor compatible del alto-lado del µC con la reacción de
diagnóstico para 12V y 24V puso a tierra cargas
• Todos los tipos de cargas resistentes, inductivas y del capacitve
• El más conveniente para las cargas con las altas corrientes de la
avalancha, para lámparas
• Substituye las retransmisiones electromecánicas, los fusibles y
los circuitos discretos
Funciones básicas
• Entrada compatible del Cmos
• Cierre del Undervoltage y de la sobretensión con auto-recomienzo
e histéresis
• Desmagnetización rápida de cargas inductivas
• Independiente de tierra de la lógica de la tierra de la carga
Funciones de la protección
• Protección del cortocircuito
• Protección contra sobrecarga
• Limitación actual
• Cierre termal
• Protección de la sobretensión (descarga incluyendo de la carga)
con externo
resistor
• Protección reversa de la batería con el resistor externo
• Pérdida de tierra y pérdida de protección de Vbb
• Protección de la descarga electrostática (ESD)
Funciones de diagnóstico
• Sentido actual de la carga de Proportinal
• Reacción de diagnóstico con salida abierta del dren
• Abra la detección de la carga en Apagado-estado con el resistor
externo
• Reacción del cierre termal en En-estado
Diagrama funcional
Grados máximos en Tj = 25°C salvo especificación de lo contrario
Parámetro | Símbolo | Valores | Unidad |
Voltaje de fuente | Bb V | 43 | V |
Voltaje de fuente para la protección completa Tj, comienzo =-40… +150°C del cortocircuito | Bb V | 34 | V |
Corriente de la carga | IL | uno mismo-limitado | A |
Descarga protection1) VLoadDump = V de la cargaA + Vs, VA = 13,5 V | VLoaddump3) | 60 | V |
Gama de temperaturas de funcionamiento | Tj | -40… +150 | °C |
Disipación de poder (DC) 4) TA = 25°C: | Bebéde P | ||
Inductancia cambiable máxima, solo pulso | | | |
Capacidad de la descarga electrostática (ESD) EN: | VESD | 1,0 | kilovoltio |
Voltaje de entrada (DC) | VADENTRO | -10… +16 | V |
Corriente a través del perno de la entrada (DC) | IADENTRO | ±2.0 | mA |