N - Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal P0903BDL

Número de modelo:P0903BDL
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:290pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

 

GRADOS Y CARACTERÍSTICAS del DIODO de SOURCE-DRAIN (TC = °C) 25

Corriente continua  IS   50     A
Corriente pulsada3  ISM   150
Voltaje delantero1VSDIS = 25A, VGS = 0V 0,91,3     V
Tiempo de recuperación reversatrrIF = IS, dlF/dt = 100A/µS 70      nS
Corriente de recuperación reversa máximaIRM (REC) 200        A 
Carga reversa de la recuperación  0,043      µC

 

 

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

China N - Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal P0903BDL supplier

N - Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal P0903BDL

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