Chip CI DC - 2 gigahertz SW-289 de los componentes del circuito integrado del interruptor del GaAs DPDT
Número de modelo:SW-289
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:3100pcs
Plazo de expedición:día 1
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Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Interruptor DC - 2 gigahertz SW-289 del GaAs DPDT
Características
- Mismo bajo consumo de energía: µW 100
- Pérdida de inserción baja: 0,5 DB
- Alto aislamiento: DB 25 hasta 2 gigahertz
- Punto muy alto de la intercepción: IP3 de 48 dBm
- Velocidad de transferencia del nanosegundo
- Gama de temperaturas: -40˚C a +85˚C
- Paquete del plástico del bajo costo SOIC14
- Grabe y aspe empaquetando1 disponible
Descripción
M/A-COM SW-289 es un interruptor del GaAs MMIC DPDT en un paquete superficial del plástico del soporte de la ventaja del bajo costo SOIC 14. El SW-289 se adapta idealmente para el uso tales como donde mismo está el bajo consumo de energía con referencia a re D. usos típicos de q u i incluye la transferencia de la transmisión/recepción, matrices de interruptor, los atenuadores digitales del paso, y los bancos de filtro en sistemas: el equipo de radio y celular, el PCM, el GPS, los módulos de la fibra óptica, y el otro equipo de radio con pilas.
El SW-289 se fabrica con un GaAs monolítico MMIC usando un proceso maduro de 1 micrón. El proceso ofrece la estabilización completa del microprocesador para el funcionamiento y la confiabilidad crecientes.
| Parámetro | Condiciones de prueba2 | Unidad | Mínimo. | Tipo. | Máximo. |
| Pérdida de inserción | DC – 0,1 gigahertz DC – 0,5 gigahertz DC – 1,0 gigahertz DC – 2,0 gigahertz | DB DB DB DB | 0,35 0,35 0,4 0,6 | 0,5 0,5 0,6 0,8 | |
| Aislamiento | DC – 0,1 gigahertz DC – 0,1 gigahertz DC – 1,0 gigahertz DC – 2,0 gigahertz | DB DB DB DB | 50 40 32 20 | 56 43 35 23 | |
| VSWR | DC – 2,0 gigahertz | 1.3:1 | |||
Trise, Tfall Tonelada, ricachón Transeúntes | el 10% hasta el 90% RF, el 90% hasta el 10% RF Control del 50% hasta el 90% RF, control del 50% hasta el 10% RF En banda | nS nS milivoltio | 3 6 15 | ||
Un DB Compresión | Energía de entrada 0,05 gigahertz Gigahertz de la energía de entrada 0,5 – 2,0 | dBm dBm | 22 27 | ||
| IP2 | Pariente medido 0,05 gigahertz al gigahertz de la energía de entrada 0,5 – 2,0 (para la energía de entrada bicolor hasta el dBm +5) | dBm dBm
| 54 66
| ||
| IP3 | Pariente medido 0,05 gigahertz al gigahertz de la energía de entrada 0,5 – 2,0 (para la energía de entrada bicolor hasta el dBm +5) | dBm dBm
| 45 48
|
1. Refiera a la “cinta y aspe” sección de empaquetado, o entre en contacto con la fábrica.
2. Todas las medidas con 0, -5 voltajes del control de V en 1 gigahertz en un sistema 50W, salvo especificación de lo contrario.
| Parámetro | Máximo absoluto |
Energía de entrada máxima 0,05 gigahertz 0,5 – 2,0 gigahertz Controle el voltaje Temperatura de funcionamiento Temperatura de almacenamiento |
dBm +27 dBm +34 +5 V, -8,5 V -40°C a +85°C -65°C a +150°C |
1.Operation de este dispositivo sobre cualquier uno de éstos
los parámetros pueden causar daño permanente.
Diagrama esquemático funcional
Funcionamiento típico
Chip CI DC - 2 gigahertz SW-289 de los componentes del circuito integrado del interruptor del GaAs DPDT
Carro de la investigación
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