Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad
Número de modelo:2SC5707
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:9500
Plazo de expedición:día 1
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Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad
Usos
• Convertidor de DC/de DC, conductores de la retransmisión, conductores de la lámpara, conductores del motor, flash
Características
• Adopción de los procesos de FBET y de MBIT.
• Capacitancia actual grande.
• Voltaje de saturación bajo del colector-a-emisor.
• Transferencia de alta velocidad.
• Alta disipación de poder permisible.
Especificaciones (): 2SA2040
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Grados | Unidad |
| Voltaje de la Colector-a-base | VCBO | -- | (--50) 100 | V |
| Voltaje del Colector-a-emisor | VCES | -- | (--50) 100 | V |
| Voltaje del Colector-a-emisor | VCEO | -- | (--) 50 | V |
| Voltaje de la Emisor-a-base | VEBO | -- | (--) 6 | V |
| Corriente de colector | IC | -- | (--) 8 | A |
| Corriente de colector (pulso) | ICP | -- | (--) 11 | A |
| Corriente baja | IB | -- | (--) 2 | A |
| Disipación del colector | PC | -- Tc=25°C | 1,0 15 | W W |
| Temperatura de empalme | Tj | -- | 150 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | Stgde T | -- | --55 a +150 | °C |
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | mínimo. | Tipo. | máximo. | unidad |
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB= (--) 40V, ES DECIR =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB= (--) 4V, IC=0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| Aumento actual de DC | FEde h | VCE= (--) 2V, IC= (--) 500mA | 200 | -- | 560 | -- |
| Producto del Aumento-ancho de banda | fT | VCE= (--) 10V, IC= (--) 500mA | -- | (290) 330 | -- | Megaciclo |
| Capacitancia de salida | Mazorca | VCB= (--) 10V, f=1MHz | -- | (50) 28 | -- | PF |
| Voltaje de saturación del Colector-a-emisor | VCE (sentado) 1 VCE (sentado) 2 | IC= (--) 3.5A, IB= (--) 175mA IC= (--) 2A, IB= (--) 40mA | -- -- | (--230) 160 (--240) 110 | (--390) 240 (--400) 170 | milivoltio milivoltio |
| Base--Emitterr A voltaje de saturación | VSEA (sentado) | IC= (--) 2A, IB= (--) 40mA | -- | (--) 0,83 | (--) 1,2 | V |
| Voltaje de avería de la Colector-a-base | V(BR)CBO | IC= (--) 10µA, ES DECIR =0A | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Voltaje de avería del Colector-a-emisor | V(BR)CES | IC= (--) 100µA, RBE=0Ω | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Voltaje de avería del Colector-a-emisor | (BR)CEO V | IC= (--) 1mA, RBE=∞ | (--) 50 | -- | -- | V |
| Voltaje de avería de la Emisor-a-base | V(BR)EBO | ES DECIR = (--) 10µA, IC=0A | (--) 6 | -- | -- | V |
| Tiempo de abertura | tencendido | See especificó el circuito de la prueba. | -- | (40) 30 | -- | ns |
| Tiempo de almacenamiento | stgde t | See especificó el circuito de la prueba. | -- | (225) 420 | -- | ns |
| Tiempo de caída | tf | See especificó el circuito de la prueba. | -- | 25 | -- | ns |
El paquete dimensiona dimensiones del paquete
unidad: unidad del milímetro: milímetro
7518-003 7003-003
Circuito de la prueba del tiempo de la transferencia
Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad
Carro de la investigación
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