Usos de baja fricción encapsulados plástico del amperio de poder del transistor 2SC2274 de NPN

Número de modelo:2SC2274
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10000
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

 

Transistor encapsulado plástico de NPN

2SC2274

 
 

CARACTERÍSTICAS

* alto voltaje de avería                                                            

* de gran intensidad                    

* voltaje de saturación bajo

 

 

 

CLASIFICACIÓN DEFEde h(1)

Producto-fila2SC2274-D2SC2274-E2SC2274-F
  Gama  60~120  100~200  160~320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA = 25°C salvo especificación de lo contrario)

   Parámetro           Símbolo        Clasificación       Unidad
 Colector al voltaje bajo            VCBO           60        V
 Colector al voltaje del emisor             VCEO            50        V
 Emisor al voltaje bajo             VEBO             5        V
 Corriente de colector - continua              IC            0,5        A
 Disipación de poder del colector              PC           600       mW
 Resistencia termal del empalme a ambiente              RdelθJA           208     °C/W
 Empalme, temperatura de almacenamiento              TJ, TSTG     150, -55~150         °C

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA = 25°C salvo especificación de lo contrario)

  Parámetro  Símbolo  Mínimo. Tipo.  Máximo.Unidad   Condiciones de prueba
Colector para basar voltaje de avería V(BR)CBO 60

  --

   --  V IC=0.01mA, ES DECIR =0
Colector al voltaje de avería del emisor (BR)CEO V  50   --   --  V IC=1mA, IB=0
Emisor para basar voltaje de avería V(BR)EBO   5   --   --  V ES DECIR =0.01MA, IC=0
Corriente de atajo de colector  ICBO   --   --   1  μA VCB=40V, ES DECIR =0
Corriente del atajo del emisor  IEBO   --   --   1  μA VEB=4V, IC=0
Aumento actual de DC

  FEde h(1)

  FEde h(2)

  60

  35

   --

   --

  320

   --

 

 VCE=5V, IC=50mA

 VCE=5V, IC=400mA

Colector al voltaje de saturación del emisor  VCE(sentado)   --   --  0,6  V IC=400mA, IB=40mA
Base al voltaje del emisor  VSEA(sentado)   --   --  1,2  V IC=400mA, IB=40mA
Frecuencia de la transición   fT   --  120   --  Megaciclo VCE=10V, IC=10mA
Capacitancia de salida del colector   Obde C   --   5   --   PF VCB=10V, f=1MHz

 

 

 

 

 

 

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Usos de baja fricción encapsulados plástico del amperio de poder del transistor 2SC2274 de NPN

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