Los transistores del mosfet del poder del rf del SILICIO de NPN para los amplificadores de potencia del RF en VHF congriegan la radio móvil, 2SC1972
Número de modelo:2SC1972
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:8000
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
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Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Dentro de 25 Horas
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Los transistores del mosfet del poder del rf del SILICIO de NPN para los amplificadores de potencia del RF en VHF congriegan la radio móvil, 2SC1972
DESCRIPCIÓN:
El ASI 2SC1972 se diseña para los amplificadores de potencia del RF en usos de radio móviles de la banda del VHF.
LAS CARACTERÍSTICAS INCLUYEN:
• Substituye 2SC1972 original en la mayoría de los usos
• La alta ganancia reduce requisitos de la impulsión
• Paquete económico TO-220
| IC | 3,5 A |
| VCBO | 35 V |
| PDISS | 25 W @ TC = °C 25 |
| TSTG | -55 °C al °C +175 |
| θJC | 6,0 °C/W |
| SÍMBOLO | CONDICIONES DE PRUEBA | MÍNIMO. | TIPO. | MÁXIMO. | UNIDADES |
| CEODE LA BV | IC = 50 mA | 17 | V | ||
| BVCBO | IC = 10 mA | 35 | V | ||
| BVEBO | IC = 10 mA | 4,0 | V | ||
| ICBO | VCES = 25 V | 100 | µA | ||
| IEBO | VEB = 3,0 V | 500 | µA | ||
| FEde h | VCE = 10 V IC = 100 mA | 10 | 50 | 180 | --- |
ηC PHACIA FUERA | Vcc = 13,5 V PEN = 2,5 W f =175 megaciclo | 60 14 | 70 15 | % W |
Los transistores del mosfet del poder del rf del SILICIO de NPN para los amplificadores de potencia del RF en VHF congriegan la radio móvil, 2SC1972
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