Mosfet complementario plástico del poder de Darlington, transistores de poder del silicio 2N6038
Número de modelo:2N6038
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10000
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
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Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Mosfet complementario plástico del poder de Darlington, transistores de poder del silicio 2N6038
Los transistores de poder complementarios plásticos del silicio de Darlington se diseñan para el amplificador de fines generales y los usos que cambian low−speed.
• Alto aumento actual de DC — hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 ADC
• Voltaje de mantenimiento del Colector-emisor — @ mAdc 100
VCEO(sus) = 60 VDC (minuto) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC
(Minuto) — 2N6036, 2N6039
• Capacidad actual polarizada hacia adelante I de la segunda averíaS/b = 1,5 ADC @ 25 VDC
• Construcción monolítica con los resistores incorporados del emisor de base a la multiplicación de LimitELeakage
• Alto paquete del plástico del ratio TO-225AA del Funcionamiento-a-coste del ahorro de espacio
| Clasificación | Símbolo | Valor | Unidad |
Voltaje 2N6034 de Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 | VCEO | 40 60 80 | VDC |
Voltaje 2N6034 de Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 | VCBO | 40 60 80 | VDC |
| Voltaje de Emitter−Base | VEBO | 5,0 | VDC |
Corriente de colector continua Pico | IC | 4,0 8,0 | ADC Apk |
| Corriente baja | IB | 100 | mAdc |
Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C Reduzca la capacidad normal sobre 25°C | PD | 40 320 | W mW/°C |
Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C Reduzca la capacidad normal sobre 25°C | PD | 1,5 12 | W mW/°C |
| Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento | TJ, stgde T | – 65 a +150 | °C |
| Característico | Símbolo | Máximo | Unidad |
| Resistencia termal, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
| Resistencia termal, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.
| Característico | Símbolo | Minuto | Máximo | Unidad |
| DE CARACTERÍSTICAS | ||||
Voltaje de mantenimiento de Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 | VCEO(sus) | 40 60 80 | -- -- -- | VDC |
Corriente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039 | ICEO | -- -- -- | 100 100 100 | UA |
Corriente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 | ICEX | -- -- -- -- -- -- | 100 100 100 500 500 500 | UA |
Corriente de Collector−Cutoff (VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039 | ICBO | -- -- -- | 0,5 0,5 0,5 | mAdc |
| Corriente de Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
| EN CARACTERÍSTICAS | ||||
Aumento actual de DC (IC = 0,5 ADC, VCE = 3,0 VDC) (IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VDC) (IC = 4,0 ADC, VCE = 3,0 VDC) | hFE | 500 750 100 | -- 15.000 -- | -- |
Voltaje de saturación de Collector−Emitter (IC = 2,0 ADC, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40) | VCE(sentado) | -- -- | 2,0 3,0 | VDC |
Voltaje de saturación de Base−Emitter (IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40) | VSEA(sentado) | -- | 4,0 | VDC |
Base−Emitter en voltaje (IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VDC) | VSEA(encendido) | -- | 2,8 | VDC |
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS | ||||
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 ADC, VCE = 10 VDC, f = 1,0 megaciclos) | |FEde h| | 25 | -- | -- |
Capacitancia de salida (VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 megaciclos) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 | Obde C | -- -- | 200 100 | PF |
Datos registradoes JEDEC de los *Indicates.
Mosfet complementario plástico del poder de Darlington, transistores de poder del silicio 2N6038
Carro de la investigación
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