Transistor del Mosfet del poder de HEXFET, módulo IRF7329 del mosfet del poder

HEXFET Power Mosfet Transistor, mosfet módulo IRF7329

Tecnología de zanja

Ultra baja resistencia

Doble canal P MOSFET

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Disponible en cinta y carrete

Libre de plomo

Descripción

New P-Channel HEXFET® power MOSFET de rectificador internacional utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con el diseño del dispositivo resistente que HEXFET MOSFET de potencia son bien conocido, proporciona al diseñador con un dispositivo muy eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de aplicaciones. SO-8 ha sido modificado a través de un modificado para requisitos particulares leadframe características térmicas mejoradas y capacidad múltiple-muera lo que es ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, varios dispositivos pueden utilizarse en aplicaciones con espacio de Junta dramáticamente reducido. El paquete está diseñado para la fase de vapor, infrarrojo o técnica de soldadura de la onda

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Anterwell se especializa en Componentswhich electrónico está situado en el centro más grande de la electrónica en asiático---HuaQiang del norte, ciudad P.R. de Shenzhen. Durante los varios años, la compañía ha crecido y ha prosperado. Ahora ha sido un distribuidor famoso en los componentes electrónicos.
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