Componentes electrónicos del ic del CONDUCTOR del SEMIPUENTE, componentes integrados IR2109S

CONDUCTOR DEL SEMIPUENTE 

IR 2109(4) (s)

Características

• El canal de flotación diseñó para la operación del tirante completamente - operativa a +600V tolerante al voltaje transitorio negativo dV/dt inmune

• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V

• Cierre del Undervoltage para ambos canales

• lógica de la entrada 3.3V, 5V y 15V compatible

• lógica de la prevención de la Cruz-conducción

• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales

• Alta salida lateral en fase con EN la entrada

• Lógica y poder molidos +/- compensación 5V.

• Muerto-tiempo 540ns, y programable internos hasta 5us

con un resistor externo del RDT (IR21094)

• Baje el conductor de la puerta de di/dt para una mejor inmunidad de ruido

• Cierre la entrada apaga ambos canales.

Descripción

  El IR 2109(4) (s) es alto voltaje, conductores de alta velocidad del MOSFET del poder y de IGBT con los canales de salida referida dependientes del lado del cielo y tierra. Las tecnologías inmunes propietarias de HVIC y del cierre Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para el máximo mínimo IO+/- 120 mA/250 mA de la hoja de datos del IR de los paquetes del conductor IR21094 IR2109 2109(4) (s) no PD60163-P VOFFSET 600V de VOUT 10 - 20V la tonelada/(tipo.) de 750 y 200 producto www.irf.com sumario 1 VCC VB del ns del tiempo muerto 540 del ns (programable hasta 5uS para IR21094) CONTRA HO COM LO EN SD SD EN hasta 600V PARA CARGAR VCC EN hasta 600V PARA CARGAR VCC VB CONTRA HO LO-COM EN la cruz-conducción de la ventaja SOIC de la ventaja SOIC 14 de la ventaja PDIP 8 de la ventaja PDIP 14 del RDT 8 de despegue VSS SD VCC SD VSS. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.

Definiciones de la ventaja

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