Puente de la capacidad H de SOA del cortocircuito del módulo de poder del Mosfet de Superjunction

Número de modelo:MWI50-12E7
Lugar del origen:México
Cantidad de orden mínima:3pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:350pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

Puente de la capacidad H de SOA del cortocircuito del módulo de poder del Mosfet de Superjunction

 

 

Módulos Sixpack, puente de IGBT de H

 

Símbolo Condiciones Grados máximos
VCESTVJ = 25°C a 150°C1200 V
VGES ± 20 V

IC25

IC80

TC = 25°C

TC = 80°C

90

62

A

A

ICM

VCEK

VGE = ±15 V; RG = Ω 22; TVJ = 125°C

RBSOA; carga inductiva afianzada con abrazadera; L = µH 100

100

VCES

A
SC de t

VCE = 900 V; VGE = ±15 V; RG = Ω 22; TVJ = 125°C

SCSOA; sin repetición

10µs

 

 

Características

• NPT3 IGBTs

- voltaje de saturación bajo

- coeficiente de temperatura positivo para ser paralelo a fácil

- transferencia rápida - corriente corta de la cola para el funcionamiento optimizado

también en circuitos resonantes

 

• Diodo de HiPerFREDTM:

- recuperación reversa rápida

- voltaje delantero del funcionamiento bajo

- corriente baja de la salida

 

• Paquete del estándar industrial

- pernos solderable para el montaje del PWB

- embase de cobre aislado

- UL registradoa, E 72873

 

 

Usos típicos

• MWI - Impulsiones de la CA

- fuentes de alimentación con la corrección de factor de poder

 

• MKI

- control de motor. Bobina aficionada del motor de DC. Bobina de la excitación del motor de DC. bobina de la excitación del motor síncrono

 

- fuente de la bobina primaria del transformador. fuentes de alimentación. soldadura. Radiografía. cargador de batería

 

 

 

 

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