conductor del módulo de IC 7MBR75UB120-50 IGBT del módulo de poder del Mosfet de 1200V 75A PIM

Número de modelo:7MBR75UB120-50
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:3pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:210pcs
Plazo de expedición:1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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conductor del módulo de IC 7MBR75UB120-50 IGBT del módulo de poder del Mosfet de 1200V 75A PIM

 

 

 

MÓDULO de 7MBR75UB120-50 IGBT (serie) de U 1200V/75A/PIM

 

Características

. VCE bajos (sentados)

· Paquete compacto

· P.C. Módulo del soporte del tablero

· Circuito dinámico del freno del puente del diodo del convertidor

 

Usos

· Inversor para la impulsión de Motoe

· Amplificador servo de la impulsión de la CA y de DC

· Sistema de alimentación ininterrumpida

 

Grados y características máximos

Grados máximos absolutos (Tc=25°C salvo especificación de lo contrario)

 

ArtículoSímboloCondiciónClasificaciónUnidad
InversorVoltaje del Colector-EmisorVces 1200V
Voltaje del Puerta-EmisorVges ±20V
Corriente de colectorIcTc=25°C continuo
Tc=80°C
75
50
A
Icp1ms Tc=25°C
Tc=80°C
150
100
- Ic 75
- Pulso de IC1 ms150
Disspation del poder del colectorPC1 dispositivo275W
ValienteVoltaje del Colector-EmisorVces 1200V
Voltaje del Puerta-EmisorVges ±20V
Corriente de colectorIcTc=25°C continuo
Tc=80°C
35
25
A
Icp1ms Tc=25°C
Tc=80°C
70
50
Disspation del poder del colectorPC1 dispositivo160W
Voltaje reverso máximo repetidorVrrm 1200V
ConvertidorVoltaje reverso máximo repetidorVrrm 1600V
Corriente de salida mediabonda sinusoidal 50Hz/60Hz75A
Sobretensión (sin repetición)
L2t (sin repetición)
IFSM
l2T
Tj=150°C, 10ms
media onda sinusoidal
520
1352
Un2S
Temperatura de empalme de funcionamientoTj +150
Temperatura de almacenamientoTstg -40 a +125
Aislamiento
voltaje
entre el terminal y el cobre *2 bajoVisoCA: 1 minutoAC2500V
entre el termistor y otros *3AC2500V
 Esfuerzo de torsión del tornillo de montaje  3,5 *1Nanómetro

 

Valor recomendable *1: 2,5 a 3,5 N·m (M5)

*2 todos los terminales debe ser conectado junto cuando la prueba del aislamiento será hecha.

Los terminales del termistor *3 dos se deben conectar juntos, los terminales debe ser conectado junto y ser puesto en cortocircuito al embase cuando la prueba del aislamiento será hecha.

 

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