Oferta de la acción del transistor de efecto de campo del MOS del transistor 2SK3797 del Pin de IC 3

Número de modelo:2SK3797
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:10
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:2500
Plazo de expedición:Oferta común
Contacta

Add to Cart

Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Oferta de la acción del transistor de efecto de campo del MOS del transistor 2SK3797 del Pin de IC 3

 

 

 

tipo del MOS del canal N del silicio del transistor de efecto de campo 2SK3797  

 

Usos del recorte regulador

• Dren-fuente baja EN resistencia: RDS (ENCENDIDO) = 0.32Ω (tipo.)

• Alta entrada de transferencia delantera: |Yfs| = 7,5 S (tipo.)

• Corriente baja de la salida: IDSS = μA 100 (VDS = 600 V)

• Modelo del aumento: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, identificaciones = 1 mA)

 

Grados máximos (TA = 25°C)

 

CaracterísticoSímboloClasificaciónUnidad
voltaje de la Dren-fuenteVDSS600V
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20)VDGR600V
voltaje de la Puerta-fuenteVGSS±30V

Drene DC actual

                                  Pulso (t = 1 ms)

Identificación13A
IDP52
Drenan la disipación de poder (Tc = 25°C)Paladio50W
Sola energía de la avalancha del pulsoEAS1033mJ
Corriente de la avalanchaAR13A
Energía repetidor de la avalanchaOÍDO5,0mJ
Temperatura del canalTch150°C
Gama de temperaturas de almacenamientoTstg-50-150    °C

 

Características termales

CaracterísticoSímboloMáximoUnidad
Resistencia termal, canal al casoRth (ch-c)2,5w/ °C
Resistencia termal, canal a abinentRth (ch-uno)62,5w/ °C

 

Nota 1: Asegúrese de que la temperatura del canal no exceda 150°C durante el uso del dispositivo.

Nota 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (inicial), L = 10,7 Mh, IAR = 13 A, RG = Ω 25

Nota 3: Grado repetidor: la anchura de pulso limitó por temperatura máxima del canal que este transistor es un dispositivo electrostático-sensible. Dirija con cuidado.

 

 

 

 

China Oferta de la acción del transistor de efecto de campo del MOS del transistor 2SK3797 del Pin de IC 3 supplier

Oferta de la acción del transistor de efecto de campo del MOS del transistor 2SK3797 del Pin de IC 3

Carro de la investigación 0