original epitaxial del transistor del silicio del transistor NPN del Pin 2SC5242 3

Número de modelo:2SC5242
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:50
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:4000
Plazo de expedición:1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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original epitaxial del transistor del silicio del transistor NPN del Pin 2SC5242 3

 

 

 

Transistor epitaxial 2SC5242 del silicio de NPN 

 

Usos

• Amplificador de alta fidelidad de la salida audio

• Características de fines generales del amplificador de potencia

• Capacidad de gran intensidad: IC = 15A

• Disipación de poder más elevado: 130watts

• De alta frecuencia: 30MHz.

• Alto voltaje: VCEO=230V

• S.O.A ancho para la operación confiable.

• Linearidades excelentes del aumento para THD bajo.

• Complemento a 2SA1962/FJA4213.

• Los modelos termales y eléctricos de la especia están disponibles

• El mismo transistor está también disponible en: --Paquete TO264,

2SC5200/FJL4315: 150 vatios --Paquete TO220,

FJP5200: 80 vatios --Paquete de TO220F, FJPF5200: 50 vatios

 

Ratings* máximo absoluto TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

 

SímboloParámetroGradosUnidades
BVCBOVoltaje de la Colector-Base230V
CEO DE LA BVVoltaje del Colector-Emisor230V
BVEBOVoltaje de la Emisor-Base5V
ICCorriente de colector (DC)15A
IBCorriente básica1,5A
PDDisipación total del dispositivo (TC=25°C) reduce la capacidad normal sobre 25°C

130

1,04

W

W/°C

TJ, TSTGTemperatura del empalme y de almacenamiento-50-+150°C

* Estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.

 

Characteristics* termal Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente

SímboloParámetroMÁXIMO.Unidad
R delθJCResistencia termal, empalme al caso0,96W/°C

* Dispositivo montado en tamaño mínimo del cojín

 

 

 

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