Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder

Número de modelo:KSP2907A
Lugar del origen:Filipinas
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:20000
Plazo de expedición:1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder

 

 

Características

• Voltaje del Colector-Emisor: VCEO= 60V                

• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)

• Sufijo “- C” significa un colector de centro (1.Emitter 2.Collector 3.Base)

• No sufijo “- C” significa un colector lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)

• Disponible como PN2907A

 

 

 

Grados máximos absolutos * TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

SímboloParámetroValorUnidades
VCBOVoltaje de la Colector-Base-60 V
VCEO Voltaje del Colector-Emisor -60 V
VEBO Voltaje de la Emisor-Base-5 V
ICCorriente de colector -600 mA
TJTemperatura de empalme +150 °C

 

 

 

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Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder

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