Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN

Número de modelo:2SD1625
Lugar del origen:Filipinas
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:20000
Plazo de expedición:1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN

 

 

usos del conductor 2SD1625

 

Transistores planares epitaxiales IC del silicio de PNP/NPN

 

Usos

 

Viaje en automóvili a los conductores, conductores de martillo de la impresora, dreiver de la retransmisión, control del regulador de voltaje

 

Características

 

Alto aumento actual de DC

Grande curren la capacidad y ASO ancho

Muy tamaño pequeño haciéndolo fácil proporcionar el híbrido de alta densidad, tamaño pequeño ICs

 

Grados máximos absolutos en TA=25℃

Colector al voltaje bajoVCBO-80V
Colector al voltaje del emisorVCEO-50V
Emisor al voltaje bajoVEBO-10V
Corriente de colectorIC-0,7A
Corriente de colector (pulso)ICP-2A
Disipación del colectorPC500Nanovatio
Temperatura de empalmeTj150
Temperatura de almacenamientoTstg-55 a +150

 

 

China Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN supplier

Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN

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