Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

Número de modelo:BSP315
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:6800PCS
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Detalles del producto

Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

 

 

• Canal de P

• Modo del aumento                    

• Nivel de la lógica

• VGS (th) = -0,8… - 2,0 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

voltaje de avería de la Dren-fuente V (BR) DSS = ƒ (Tj)

 

 

 

Impedancia termal transitoria Zth JA = parámetro del ƒ (tp): D = tp/T

 

 

 

 

 

Grados máximos

Parámetro Símbolo Valores Unidad
Drene el voltaje de la fuente VDS -50V

voltaje de la Dren-puerta

RGS = kΩ 20

VDGR-50
Voltaje de fuente de puertaVGS ± 20

Corriente continua del dren

TA = °C 39

ID-1,1A

Corriente del dren de DC,

pulsado TA = °C 25

IDpuls-4,4

Disipación de poder

TA = °C 25

Bebé de P1,8W

 

 

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Modo BSP315 SIPMOS del aumento del canal del transistor P del Mosfet del poder de la señal

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