Transistores Autoprotected VND3NV0413TR del Mosfet del poder del cortocircuito

Número de modelo:VND3NV0413TR
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5200PCS
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Transistores Autoprotected VND3NV0413TR del Mosfet del poder del cortocircuito

 

 

Características

 

Tipo RDS (encendido)Ilim Vclamp

VNN3NV04

VNS3NV04

VND3NV04

VND3NV04-1

mΩ 1203,5 A40 V

 

 

Limitación actual linear del ■

Cierre la termal del ■

Protección del cortocircuito del ■

Abrazadera integrada del ■

De poca intensidad del ■ extraída del perno de la entrada

Reacción de diagnóstico del ■ a través del perno de la entrada

Protección del ESD del ■

Acceso directo del ■ a la puerta del MOSFET del poder (conducción del análogo)

■ compatible con el MOSFET estándar del poder de acuerdo con. - el directorio europeo 2002/95/E

 

Descripción

 Los VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, son dispositivos monolíticos diseñados en la tecnología de STMicroelectronics VIPower M0-3, prevista para el reemplazo de los MOSFETs estándar del poder de DC hasta usos de 50 kilociclos. Construido en cierre termal, la limitación actual linear y la abrazadera de la sobretensión protegen el microprocesador en ambientes duros.

 

  La reacción de la falta puede ser detectada supervisando el voltaje en el perno de la entrada.

 

 

 

 

 

Resumen del dispositivo

PaqueteCódigos de orden
TuboTubo (sin plomo)Cinta y carreteGrabe y aspe (sin plomo)
SOT-223 VNN3NV04VNN3NV0413TR-
SO-8 VNS3NV04-VNS3NV0413TR -
TO-252 VND3NV04 VND3NV04-E VND3NV0413TR VND3NV04TR-E

 

Bloque diagrama y descripción del perno

 

China Transistores Autoprotected VND3NV0413TR del Mosfet del poder del cortocircuito supplier

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