Diodo de barrera de Schottky del soporte de la superficie del diodo de rectificador de la electrónica 2A BAT54A
Número de modelo:BAT54A
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:3000pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:50000pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
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Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Detalles del producto
Montaje de la electrónica 2A rectificador diodo BAT54A superficie diodo de barrera Schottky
BAT54A DIODO DE BARRERA SCHOTTKY DE MONTAJE SUPERFICIAL
Características
. Encendido de bajo voltaje
Rápido de la conmutación
. Anillo de protector de empalme PN para transitorios
y protección ESD
Datos mecánicos
Caso: SOT-23, plástico moldeado
Material del caso - clasificación de clasificación de Flamabilidad UL 94V-0
Terminales: Solderable por MIL-STD-202, método 208
Polaridad: Ver diagramas de abajo
Peso: 0,008 gramos (aprox.)
Sensibilidad de humedad: nivel 1 por J-STD-020A
Información el ordenar: Véase página 3
Marcando el código: Ver diagramas a continuación
Grados máximos @ TA = 25 ° c a menos que se especifique lo contrario
| Característica | Símbolo | Valor | Unidad |
| Pico repetitivo pico de trabajo del voltaje de reversa inversa voltaje DC voltaje de bloqueo | VRRM VRWM VR | 30 | V |
| Corriente continua hacia adelante (Nota 2) | IF | 200 | mA |
| Corriente delantera máxima repetitiva | IFRM | 300 | mA |
| Sobretensión delantera @ t<> | IFSM | 600 | mA |
| Disipación de energía (Nota 2) | PD | 200 | MW |
| Resistencia térmica, Junction a aire ambiente (Nota 2) | RJA | 500 | ° C/W |
| Funcionamiento y temperatura de almacenamiento | TJ, TSTG | -65 a + 125 | ℃ |
Características eléctricas
@ TA = 25 ° c a menos que se especifique lo contrario
| Característica | Símbolo | Min | Typ | Max | Unidad | Condición de prueba |
| Tensión de ruptura inversa | R V (BR) | 30 | - | - | V | IRS = 100 A |
| Tensión de paso | VF | - | - | 240 320 400 500 1000 | mV | IF = 0.1mA IF = 1mA IF = 10mA IF = 30 mA IF = 100mA |
| Corriente de fuga inversa | Ir | - | - | 2.0 | UA | VR = 25V |
| Capacitancia total | CR | - | - | 10 | pF | VR = 1. 0V, f = 1,0 MHz |
| Tiempo de recuperación inversa | TRR | - | - | 5.0 | nS | IF = 10mA a través IR = 10mA a IR = 1.0mA RL = 100 |
Notas: 1. prueba de pulso de corta duración utilizado para minimizar el efecto de calentamiento.
2. montado en tablero FR-4 con diseño acolchado recomendado, que se puede encontrar en nuestro sitio web
Diodo de barrera de Schottky del soporte de la superficie del diodo de rectificador de la electrónica 2A BAT54A
Carro de la investigación
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