Tablero de chip de ordenador del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

Número de modelo:FDS6676AS
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T por adelantado u otros
Capacidad de la fuente:5000e
Detalles de empaquetado:éntreme en contacto con por favor para los detalles
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Tablero de chip de ordenador del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

 

 

acción de la original de los componentes electrónicos de PowerTrench FDS6676AS del canal N 30V

 

Descripción general

El FDS6676AS se diseña para substituir un solos MOSFET SO-8 y diodo de Schottky en síncrono

DC: Fuentes de corriente continua. Este MOSFET 30V se diseña para maximizar eficacia de conversión de poder, proporcionando un RDS bajo (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. El FDS6676AS incluye un diodo integrado de Schottky usando la tecnología monolítica de SyncFET de Fairchild.

 

Usos

• Convertidor de DC/DC

• Cuaderno lateral bajo

 

Características

• 14,5 A, 30 mΩ del max= 6,0 del V. RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 10 mΩ del max= 7,25 de V RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 4,5 V

• Incluye el diodo del cuerpo de SyncFET Schottky

• Carga baja de la puerta (45nC típicos)

• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO) y la transferencia rápida

• Poder más elevado y capacidad de dirección actual

Grados máximos absolutos TA=25o C a menos que se indicare en forma diferente

SímboloParámetroClasificaciónUnidad
VDSS Voltaje de la Dren-Fuente30V
VGSSVoltaje de la Puerta-Fuente±20V
Identificación

Corriente del dren – continua (nota 1a)

                      – Pulsado  

14,5A
50
Paladio

Disipación de poder para la sola operación (nota 1a)

                                                   (Nota 1b)

                                                   (Nota 1c)

2,5W
1,5
1
TJ, TSTGFuncionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento– 55 a +150°C

 

Características termales

R delθJAResistencia termal, Empalme-a-Ambiente (nota 1a)50W/°C
R delθJCResistencia termal, Empalme-a-Caso (nota 1)25

 

Marca del paquete e información el ordenar

Marcado del dispositivoDispositivoTamaño del carreteGrabe la anchuraCantidad
FDS6676ASFDS6676AS13"el 12MM2500 unidades
FDS6676ASFDS6676AS_NL13"el 12MM2500 unidades

 

 

 

 

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Tablero de chip de ordenador del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

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