Los componentes electrónicos originales 74HC585D de IC se doblan Y O dispositivo de la puerta Cmos

Número de modelo:74HC585D
Lugar del origen:Tailandia
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:2200pcs
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
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Los componentes electrónicos originales 74HC585D de IC se doblan Y O dispositivo de la puerta Cmos

 

 

74HC58 se doblan puerta de AND-OR

 

CARACTERÍSTICAS

• Capacidad de la salida: estándar

• Categoría ICC: SSI

 

 

DESCRIPCIÓN GENERAL

  El 74HC58 es un dispositivo de alta velocidad de la Si-puerta Cmos y es perno compatible con la energía baja Schottky TTL (LSTTL). Se especifica de acuerdo con el estándar no 7A de JEDEC.

 

  El “58" proporciona dos secciones de las puertas de AND-OR. Una sección contiene 2 anchos, puerta entrada de 3 (1A a 1F) AND-OR y la segunda sección contiene 2 anchos, puerta entrada de 2 (2A a 2.o) AND-OR.

 

DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA

SÍMBOLOPARÁMETROCONDICIONESHC TÍPICO UNIDAD
tPLH de tPHL/

retraso de propagación  

1n a 1Y 

2n a 2Y 

CL = 15 PF;

VCC = 5 V

11 9

ns  

ns 

Cicapacitancia de la entrada  3,5PF
CPDcapacitancia de la disipación de poder por la puertanotas 1 y 218PF

 

 

Notas

1. El CPD se utiliza para determinar la disipación de poder dinámica (paladio en µW): × del × VCC2 del paladio = del CPD fi + ∑ (× FO del × VCC2 del CL) donde: fi = frecuencia entrada en el megaciclo FO = frecuencia hecha salir en CL del megaciclo = capacitancia hecha salir de la carga en PF VCC = voltaje de fuente en el ∑ de V (× FO del × VCC2 del CL) = suma de salidas

 

2. Para HC la condición es VI = tierra a VCC

 

 

 

 

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