Gigahertz 43 del aislamiento del DB de la banda ancha 4 de la electrónica ADG918BRMZ de los circuitos integrados

Número de modelo:ADG918BRMZ
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:285pcs
Plazo de expedición:día 1
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Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
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Gigahertz 43 del aislamiento del DB de la banda ancha 4 de la electrónica ADG918BRMZ de los circuitos integrados

 

 

 

Banda ancha de ADG918BRMZ 4 gigahertz, aislamiento del DB 43 en 1 gigahertz, Cmos 1,65 V a 2,75 V, 2:1 Mux/SPDT

 

BLOQUE DIAGRAMA FUNCIONALES              

 

CARACTERÍSTICAS

 

Interruptor de la banda ancha: DB −3 @ 4 gigahertz                      

 Interruptores absorbentes/reflexivos

Alto del aislamiento (DB 43 @ 1 gigahertz)

Pérdida de inserción baja (0,8 gigahertz del DB @1)

Escoja fuente de alimentación de 1,65 V a de 2,75 V

Lógica de control de CMOS/LVTTL

8-lead MSOP y 3 milímetros minúsculos de × paquetes de 3 milímetros LFCSP

Bajo consumo de energía (<1>

 

 

 

 

 

 

USOS  

Comunicaciones inalámbricas

Transferencia de fines generales del RF

usos de la Dual-banda

Selección de alta velocidad del filtro

Interruptor de la parte frontal del transmisor-receptor de Digitaces

SI cambia

Módulos del sintonizador

Transferencia de la diversidad de la antena

 

DESCRIPCIÓN GENERAL

Los ADG918/ADG919 son interruptores de la banda ancha usando un proceso del Cmos para proporcionar el alto aislamiento y la pérdida de inserción baja a 1 gigahertz. El ADG918 es un interruptor (hecho juego) absorbente que tiene 50 piernas terminadas Ω de la desviación, mientras que el ADG919 es un interruptor reflexivo. Estos dispositivos se diseñan tales que el aislamiento es alto sobre la C.C. a 1 gigahertz de la gama de frecuencia. Tienen lógica de control a bordo del Cmos, así eliminando la necesidad del conjunto de circuitos el controlar externo. Las entradas de control son Cmos y LVTTL compatibles. El bajo consumo de energía de estos dispositivos del Cmos los hace adecuados idealmente a la transferencia de alta frecuencia inalámbrica y de fines generales

 

usos.

 

PUNTOS CULMINANTES DEL PRODUCTO

1. – DB 43 del aislamiento @ 1 gigahertz.

2. 0,8 pérdidas de inserción del DB @ 1 gigahertz.

3. 8 paquetes minúsculos de la ventaja MSOP/LFCSP.

 

 

 

 

ESPECIFICACIONES

VDD = 1,65 V a 2,75 V, tierra = 0 V, energía de entrada = 0 dBm, todas las especificaciones TMIN a TMAX, a menos que se indicare en forma diferente. Gama de temperaturas para la versión de B: −40°C a +85°C.

 

 

 

ParámetroSímboloCondicionesMinuto

Versión de B

Tipo 1

MáximoUnidad

CAPACITANCIA3

RF encendido 

Capacitancia

Capacitancia de la entrada del Ctrl

CRF ENCENDIDO

CTRL DE C

f = 1 megaciclo

f = 1 megaciclo

 

1,6

2

 

PF

PF

REQUISITOS DE ALIMENTACIÓN

 

VDD

 

Corriente quieta de la fuente de alimentación

IDDEntradas de Digitaces = 0DD de V o de V1,65

 

 

0,1

2,75

1

v

μA

 

 

Los valores típicos 1 están en VDD = 2,5 V y 25°C, salvo que se indique lo contrario.

2 puntos en el cual la pérdida de inserción degrada por 1 DB.

3 garantizado por diseño, no conforme a prueba de producción.

4 el transience de la C.C. en la salida de cualquier puerto del interruptor cuando el voltaje del control se cambia de alto a bajo o a bajo al alto en una disposición de prueba de 50 Ω, medida con 1 vez de subida del ns pulsa y ancho de banda de 500 megaciclos.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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Gigahertz 43 del aislamiento del DB de la banda ancha 4 de la electrónica ADG918BRMZ de los circuitos integrados

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