Hoja térmicamente conductiva y aislada compatible con Rohs para el llenado de la brecha de la CPU GPU
Número de modelo:Sección TIS112-02
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:1000 unidades
Capacidad de suministro:100000 piezas/día
Tiempo de entrega:2-3Días de palabra
Detalles del embalaje:1000 piezas por bolsa
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Dongguan Guangdong China
Dirección:
Edificio B8, distrito industrial II, Xicheng, municipio de Hengli, 523460 ciudad de Dongguan
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Hoja térmicamente conductiva y aislada compatible con Rohs para el llenado de la brecha de la CPU GPU
La serie TISTM100-02Los productos son los aislantes de alta eficiencia con propiedades de conducción térmica.La adición de la película base de aislamiento hecha por gel de sílice en el material de conducción térmica crea un gran efecto tanto en el aislamiento como en la conducción térmica.
Se trata de una serie de datos de la TIS100-02-Series-Datasheet-REV01.pdf
Características
> Buena conductividad térmica
> Formabilidad para piezas complejas
> Suave y compresible para aplicaciones de baja tensión
Aplicaciones
> Unidades de control de motores de automóviles
> Hardware de telecomunicaciones
> Electrónica portátil de mano
> Equipo de ensayo automatizado de semiconductores (ATE)
> CPU
> Tarjeta de visualización
| Propiedades típicas de la serie TIS100-02 | ||||
| Nombre del producto | TIS109-02 (en inglés) | TIS112-02 (en inglés) | TIS118-02 (en inglés) | Método de ensayo |
| El color | Color rosa | Visuales | ||
| Construcción y composición | Elastómero de silicona lleno de cerámica / fibra de vidrio | ¿Qué quieres decir? | ||
| espesor del compuesto | 0.23 mm | 0.3 mm | 0.45 mm | Las demás partidas |
| Dureza | 50 Costa A | Las demás partidas | ||
| Gravedad específica | 1.751 g/cc | Las demás partidas | ||
| Resistencia a la tracción | 425 Kpsi | Las demás partidas | ||
| Temperatura de uso continuo | -45 a 180 °C | ¿Qué quieres decir? | ||
| Tensión de ruptura dieléctrica | > 3500 VAC | Las demás partidas | ||
| Constante dieléctrica | 5.5 MHz | Las especificaciones de la norma ASTM D150 | ||
| Resistencia por volumen | 4.0X1013 Ohmímetro | Las demás partidas | ||
| Calificación de llama | 94 V0 | E331100 y sus derivados | ||
| Conductividad térmica | 1.0 W/mK | Las demás partidas | ||
Espesor estándar:
0.009" ((0.228mm) 0.012" ((0.304mm) 0.018" ((O.457mm), consulte el
espesor alternativo de la fábrica.
Adhesivos sensibles a la presión:
Solicitar adhesivo en un lado con el sufijo "A1".Solicitar adhesivo
en el lado doble con el sufijo "A2".
Tamaños estándar:
12" x 160 ((304mm x 48.76M)
Se pueden suministrar formas individuales de corte a presión.
Perfil de la empresa
Con capacidades profesionales de I + D y más de 18 años de experiencia en materiales de interfaz térmica La industria, la empresa Ziitek posee muchos Nuestro objetivo es proporcionar productos de calidad y competitivos a nuestros clientes de todo el mundo con el objetivo de una cooperación comercial a largo plazo.
Cultura de los Ziitek
Calidad:
Hazlo bien la primera vez, calidad total.control
Eficacia:
Trabajar con precisión y minuciosamente para la eficacia
Servicio:
Respuesta rápida, entrega a tiempo y excelente servicio.
Trabajo en equipo:
Trabajo en equipo completo, incluyendo equipo de ventas, equipo de marketing, equipo de ingeniería, equipo de I + D, equipo de fabricación, equipo de logística.
Preguntas frecuentes:
P: ¿ Es usted una empresa comercial o un fabricante?
R: Somos fabricantes en China.
P: ¿Cuánto dura su plazo de entrega?
R: Generalmente son 3-7 días laborables si las mercancías están en stock. o son 7-10 días laborables si las mercancías no están en stock, depende de la cantidad.
P: ¿Proporciona muestras? ¿Es gratis o tiene un coste adicional?
R: Sí, podríamos ofrecer muestras gratis.
P: ¿Cuál es el método de prueba de conductividad térmica que aparece en la hoja de datos?
R: Todos los datos de la hoja son pruebas reales. Se utilizan Hot Disk y ASTM D5470 para probar la conductividad térmica.
Hoja térmicamente conductiva y aislada compatible con Rohs para el llenado de la brecha de la CPU GPU
Carro de la investigación
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