Soi Wafer Silicio en Wafer de semiconductor aislante

Número de modelo:Ang-SOI 01
Lugar de origen:Guangdong, China
Cantidad mínima de pedido:100
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal y otros servicios
Capacidad de suministro:500,000PCS por mes
Tiempo de entrega:8~10 días laborables
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Habitación 421, Fuquan Bldg A, calle Qingquan, distrito de Longhua, Shenzhen, China 518109
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Soi Wafer Silicio en Wafer de semiconductor aislante

 

Wafer SOI (Silicón en aislante)

* Tamaños de obleas SOI de 3" a 200mm, algunas en inventario
* Muy alta calidad con TTV ajustado en el espesor de la capa del dispositivo
* Se dispone de unión directa Si-Si y SOI de doble cara
* Cualquier orientación de Si, cualquier espesor del dispositivo superior a 1,5 mm
* Polido de una y dos caras
* Disponible para lotes pequeños y marcado con láser de las obleas
* Tiempo de entrega corto

 

 

Tipos de fibras de soya
La personalización es una piedra angular importante de We y siempre tratamos de nuestro mejor para satisfacer todas sus necesidades.
Ofrecemos obleas SOI de los siguientes tipos:
Wafer de SOI grueso
Este tipo de oblea tiene un grosor del dispositivo de 1μm a 300μm.
Wafer de SOI ultra delgado
Este tipo de oblea tiene un grosor del dispositivo < 500 nm.
Wafer de SOI ultrauniforme
La uniformidad del espesor del dispositivo puede ser tan baja como ± 0,5 μm para SOI grueso y ± 10 nm para SOI ultra delgado.
Wafer de SOI ultraplata
Este tipo de SOI tiene un BOW/WARP/TTV muy bajo para aplicaciones específicas.


Las obleas SOI se ofrecen con gran personalización y los parámetros son muy flexibles según sus necesidades.
 
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Soi Wafer Silicio en Wafer de semiconductor aislante

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