FM24CL04B-G FRAM de 4Kb y 5V con resistencia ilimitada, escrituras sin demora de 150ns, interfaz I2C de 1MHz, 10^14 ciclos de lectura/escritura, baja corriente en espera de 50μA y retención de datos de 40 años

Número de modelo:FM24CL04B-G
Lugar de origen:Porcelana
Cantidad mínima de pedido:1
Términos de pago:T/T, Western Union,
Capacidad de suministro:1000pcs por mes
El tiempo de entrega:3-5 días hábiles después de recibir el pago
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Dirección: RM1441, GUO LI Bldg, ZhongHang RD., Futian Dist. Shen Zhen, China
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Detalles del producto
FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM con resistencia ilimitada 150ns Sin retraso Escribir 1MHz Interfaz I2C 10^14 Ciclos de lectura/escritura Baja corriente de espera de 50μA y 40 años de retención de datos
Atributos del producto
AtributoValor
FunciónPaso a paso, paso a paso
Configuración de salidaPositivo o negativo
TopologíaBuck, el impulso
Tipo de salidaAdjustable
Número de resultados1
Descripción del producto

FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM con resistencia ilimitada de 150ns sin retraso de escritura 1MHz Interfaz I2C 10^14 Ciclos de lectura/escritura Baja corriente de espera de 50 μA y 40 años de retención de datos

Características
  • Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 4 Kbits (F-RAM) organizada lógicamente como 512 × 8
    • De alta resistencia 100 billones (1014) leer/escribir
    • Retención de datos durante 151 años (ver Retención y duración de los datos en la página 10)
    • NoDelayTM escribe
    • Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad
  • Interfaz de serie rápida de dos cables (I2C)
    • con una frecuencia de hasta 1 MHz
    • Reemplazo directo del hardware para EEPROM serie (I2C)
    • Soporta tiempos heredados para 100 kHz y 400 kHz
  • Bajo consumo de energía
    • 100 μA de corriente activa a 100 kHz
    • Corriente de espera de 3 μA (típica)
  • Funcionamiento de tensión: VDD = 2,7 V a 3,65 V
  • Temperatura industrial: desde -40°C hasta +85°C
  • Paquete de circuito integrado de contorno pequeño de 8 pines (SOIC)
  • La restricción de las sustancias peligrosas (RoHS)
Descripción

La FM24CL04B es una memoria no volátil de 4 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado.Proporciona una conservación fiable de los datos durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, gastos generales y problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por EEPROM y otras memorias no volátiles.

A diferencia de EEPROM, el FM24CL04B realiza operaciones de escritura a velocidad de bus.Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiere con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin la necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.F-RAM exhibe una potencia mucho menor durante las escrituras que EEPROM ya que las operaciones de escritura no requieren un voltaje de alimentación internamente elevado para los circuitos de escrituraEl FM24CL04B es capaz de soportar 1014Ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM.

Estas capacidades hacen que el FM24CL04B sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil, que requieren escrituras frecuentes o rápidas.,La combinación de características permite una grabación de datos más frecuente con menos gastos generales para el sistema.

El FM24CL04B proporciona beneficios sustanciales a los usuarios de EEPROM serie (I2C) como un reemplazo de hardware.Las especificaciones del dispositivo están garantizadas en un rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C.

Para una lista completa de documentación relacionada,haga clic aquí.

Información
CategoríaCircuitos integrados (CI) Memoria Memoria
El Sr.Tecnologías Infineon
SerieF-RAMTM
EmbalajeEl tubo
Estado de las partesActividad
DigiKey es programableNo verificado
Tipo de memoriaNo volátiles
Formato de memoriaFrente
TecnologíaLas partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas de las partidas
Tamaño de la memoria4Kbit
Organización de la memoria512 x 8
Interfaz de memoriaI2C
Frecuencia del reloj1 MHz
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página-
Tiempo de acceso550 ns
Voltagem - Suministro2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montajeMontura de la superficie
Envase / estuche8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Paquete de dispositivos del proveedor8-SOIC
Número del producto de baseSe aplicará el procedimiento siguiente:
Dibujo
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Fuerte en la marca:

El objetivo de la presente Decisión es garantizar que los Estados miembros cumplan los requisitos establecidos en el presente Reglamento en lo que se refiere a la protección de los consumidores.

China FM24CL04B-G FRAM de 4Kb y 5V con resistencia ilimitada, escrituras sin demora de 150ns, interfaz I2C de 1MHz, 10^14 ciclos de lectura/escritura, baja corriente en espera de 50μA y retención de datos de 40 años supplier

FM24CL04B-G FRAM de 4Kb y 5V con resistencia ilimitada, escrituras sin demora de 150ns, interfaz I2C de 1MHz, 10^14 ciclos de lectura/escritura, baja corriente en espera de 50μA y retención de datos de 40 años

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