IRF7342TRPBF Par de MOSFET duales de 55V 6.5A con 50mΩ RDS(on) Conmutación rápida Baja carga de puerta Paquete SOIC-8 Protección ESD e ideal para DC-DC/Rectificación síncrona

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IRF7342TRPBF Dual 55V 6.5A MOSFET Par con 50mΩ RDS ((on) Conmutación rápida de carga de puerta baja SOIC-8 paquete ESD protegido e ideal para rectificación DC-DC / síncrona

 

Características

Tecnología de la generación V

Resistencia muy baja

MOSFET de doble canal P

Montura de la superficie

Disponible en cinta y bobina

Nivel dinámico dv/dt

Cambiar rápidamente

Sin plomo

 

Descripción

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio.Combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia de HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El SO-8 ha sido modificado a través de un marco de plomo personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de múltiples matrices, lo que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de energía.,El paquete está diseñado para las técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarroja o de onda.Disposición de energía superior a 0.8W es posible en una aplicación típica de montaje de PCB.

 

Aplicaciones

Sistemas de conversión de energía
Conversores de rectificación sincrónica CC-CC

Reguladores de voltaje de carga o de aumento
Fuentes de alimentación de alta eficiencia en modo conmutador (SMP)

Aplicaciones para el control del motor
Dispositivos para motores BLDC pequeños
Control del motor paso a paso de precisión
Sistemas de servo de bajo voltaje

Sistemas de gestión de baterías
Protección de carga/descarga de la batería de litio

Gestión de la trayectoria de energía (OR-ing)
Intercambio de energía del dispositivo móvil

Sistemas electrónicos para automóviles
Modulos de conversión CC-DC del vehículo
Sistemas de gestión de energía auxiliares
Conductores de iluminación para automóviles

Equipo de automatización industrial

Modulos de salida de PLC
Fuentes de alimentación de control industrial
Motor de baja tensión

 

Información

Categoría
Fabricante
Tecnologías Infineon
Serie
Embalaje
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Estado de las partes
Actividad
Tecnología
MOSFET (óxido metálico)
Configuración
2 canales P (dobles)
Característica del FET
Puerta de nivel lógico
Voltagem de salida a la fuente (Vdss)
Las demás:
Corriente - Desage continuo (Id) @ 25°C
3.4A
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (máximo) @ Id
1V @ 250μA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido de carbono.
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
690pF @ 25V
Potencia - máximo
2W
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje
Montura de la superficie
Envase / estuche
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Paquete de dispositivos del proveedor
8 SO
Número del producto de base

 

Dibujo

Nuestra ventaja:

  • Productos de alta calidad --- nuestras ofertas son 100% nuevos y originales, ROHS
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Fuerte en la marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc. Las compañías que se han incluido en el grupo incluyen:

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IRF7342TRPBF Par de MOSFET duales de 55V 6.5A con 50mΩ RDS(on) Conmutación rápida Baja carga de puerta Paquete SOIC-8 Protección ESD e ideal para DC-DC/Rectificación síncrona

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