SOT-323 SS8050W Transistor planar epitaxial de silicio NPN para alta corriente del colector
Número de modelo:Se aplicará el método siguiente:
Lugar de origen:Dongguan China
Cantidad mínima de pedido:1000 unidades
Condiciones de pago:T/T, Unión Occidental
Capacidad de suministro:5000 piezas
Tiempo de entrega:3weeks
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Evaluación de proveedor
Dongguan Guangdong China
Dirección:
Sitio 810, unidad 2, edificio 5, centro comercial de Huixing, camino No.1, Zhongshan ciudad Dongguan, GUANGDONG, de Dong, Shilong de Dongsheng NC 523326
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Dentro de 1 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Transistor de baja ruido de alta frecuencia SOT-323
Características
- Corriente del colector.
- Complementario al SS8550W.
- Disipación del colector:PC=200mW(TC=25°C)
Las aplicaciones
- Corriente del colector.
Información sobre el pedido
No de tipo: SS8050W
Marcado: Y1
Código del paquete:SOT-323
Características eléctricas @ Ta=25 °C a menos que se especifique lo contrario
| Parámetro | El símbolo | Condiciones de ensayo | En el caso de las | Tipo de producto | Se trata de: | Unidad |
| Voltado de ruptura del colector | V(BR) CBO | IC=100μA,IE=0 | 40 | V. | ||
| Voltado de ruptura del colector-emitidor | V ((BR) CEO | IC = 2mA, IB = 0 | 25 | V. | ||
| Voltado de ruptura de la base del emisor | V (BR) EBO | IE=-100μA, IC=0 | 5 | V. | ||
| Corriente de corte del colector | El ICBO | VCB = 40V,IE = 0 | 0.1 | MPa | ||
| Corriente de corte del colector | El ICEO | VCE = 20V, IB = 0 | 0.1 | MPa | ||
| Corriente de corte del emisor | El IEBO | VEB = 5V, IC = 0 | 0.1 | MPa | ||
| Aumento de corriente continua |
hFE | VCE = 1V, IC = 100mA | 120 | 400 | ||
| VCE = 1V, IC = 800mA | 40 | |||||
| Voltado de saturación del colector-emitidor | VCE (sat) | IC = 800 mA, IB = 80 mA | 0.5 | V. | ||
| Tensión de saturación del emisor base | VBE (sat) | IC = 800 mA, IB = 80 mA | 1.2 | V. | ||
| Voltado del emisor base | VBE | VCE = 1V IC = 10mA | 1 | V. | ||
| Frecuencia de transición | FT | VCE = 10V, IC = 50mA f = 30MHz | 100 | frecuencia de radio |
Clasificación de las hFE (en inglés) (1)
| Clasificación | - ¿ Qué? | H. | J. |
| Rango de acción | 120 a 200 | Entre 200 y 350 | Entre 300 y 400 |
TÍPICO Las características @- ¿ Qué?= 25 °Ca menos que de lo contrario especificado
SOT-323 SS8050W Transistor planar epitaxial de silicio NPN para alta corriente del colector
Carro de la investigación
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