SOT-89 D882 NPN Transistores electrónicos encapsulados de plástico Disposición de energía
Número de modelo:D882
Lugar de origen:Dongguan China
Cantidad mínima de pedido:1000 unidades
Condiciones de pago:T/T, Unión Occidental
Capacidad de suministro:5000 piezas
Tiempo de entrega:3weeks
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Dongguan Guangdong China
Dirección:
Sitio 810, unidad 2, edificio 5, centro comercial de Huixing, camino No.1, Zhongshan ciudad Dongguan, GUANGDONG, de Dong, Shilong de Dongsheng NC 523326
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Transistores encapsulados de plástico SOT-89 D882
Características
Disipación de energía
El número máximo Las calificaciones (T)a) el= 25°C a menos que se indique lo contrario Se ha señalado)
| El símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| V.CBO | Voltado de base del colector | 40 | V. |
| V.Director ejecutivo | Voltado del colector-emitente | 30 | V. |
| V.El EBO | Voltado de base del emisor | 6 | V. |
| Yo...C. Las | Corriente del colector -continua | 3 | A. No |
| PC. Las | Disposición del poder del colector | 0.5 | No |
| T.J. | Temperatura del cruce | 150 | °C |
| T.el | Temperatura de almacenamiento | -55 ~ 150 | °C |
Características eléctricas ((Ta=25°C a menos que se especifique lo contrario)
| Parámetro | El símbolo | Condiciones de ensayo | - ¿ Qué? | Tipo de producto | - ¿ Qué es? | Unidad |
| Voltado de ruptura del colector | V(BR) CBO | IC = 100μA, IE = 0 | 40 | V. | ||
| Voltado de ruptura del colector-emitidor | V ((BR) CEO | IC = 10mA, IB = 0 | 30 | V. | ||
| Voltado de ruptura de la base del emisor | V (BR) EBO | IE = 100μA, IC = 0 | 6 | V. | ||
| Corriente de corte del colector | El ICBO | VCB = 40V, IE = 0 | 1 | MPa | ||
| Corriente de corte del colector | El ICEO | VCE = 30V, IB = 0 | 10 | MPa | ||
| Corriente de corte del emisor | El IEBO | VEB = 6V, IC = 0 | 1 | MPa | ||
| Corriente de corriente continua ganancia | HFE ((1) | VCE = 2V, IC = 1A | 60 | 400 | ||
| hFE(2) | VCE = 2V, IC = 100mA | 32 | ||||
| Voltado de saturación del colector-emitidor | VCE (sat) | IC = 2A, IB = 0,2 A | 0.5 | V. | ||
| Tensión de saturación del emisor base | VBE (sat) | IC = 2A, IB = 0,2 A | 1.5 | V. | ||
| Frecuencia de transición | FT | VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz | 50 | frecuencia de radio |
Clasificación de hFE(1)
| Clasificación | R | ¿ Qué? | Y | GR |
| Rango de acción | 60 a 120 | 100 a 200 | 160 a 320 | Entre 200 y 400 |
Típico Características
SOT-89 D882 NPN Transistores electrónicos encapsulados de plástico Disposición de energía
Carro de la investigación
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