RoHS aprobó al guardia Ring For Overvoltage Protection del diodo de Schottky
Number modelo:MBR20150
Lugar del origen:Dongguan China
Cantidad de orden mínima:negociación
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:2000000 por mes
Plazo de expedición:negociación
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Evaluación de proveedor
Dongguan Guangdong China
Dirección:
Sitio 810, unidad 2, edificio 5, centro comercial de Huixing, camino No.1, Zhongshan ciudad Dongguan, GUANGDONG, de Dong, Shilong de Dongsheng NC 523326
Proveedor Último login veces:
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Anillo protector para diodo Schottky de protección contra
sobretensiones con RoHS
Ventaja
SBD tiene las ventajas de una alta frecuencia de conmutación y un
voltaje directo bajo, pero su voltaje de ruptura inversa es
relativamente bajo, en su mayoría no superior a 60 V, y el más alto
es de solo 100 V, lo que limita su rango de aplicación.Tales como
diodos de rueda libre de dispositivos de conmutación de potencia en
circuitos de fuente de alimentación conmutada (SMPS) y corrección
del factor de potencia (PFC), diodos rectificadores de alta
frecuencia por encima de 100 V para transformadores secundarios,
diodos de alta velocidad de 600 V~1,2 kV en circuitos
amortiguadores RCD, y Para los diodos de 600 V utilizados en el
aumento de PFC, solo se utilizan diodos epitaxiales de recuperación
rápida (FRED) y diodos de recuperación ultrarrápida (UFRD).El
tiempo de recuperación inversa Trr de UFRD también es superior a 20
ns, lo que no puede satisfacer las necesidades de SMPS de 1 MHz a 3
MHz en campos como las estaciones espaciales.Incluso para un SMPS
con conmutación dura a 100 kHz, debido a la gran pérdida de
conducción y pérdida de conmutación de UFRD, la temperatura de la
carcasa es alta y se requiere un gran disipador de calor, lo que
aumenta el tamaño y el peso del SMPS, que no cumple los requisitos
de miniaturización y adelgazamiento.tendencia de desarrolloPor lo
tanto, el desarrollo de SBD de alto voltaje por encima de 100 V
siempre ha sido un tema de investigación y un foco de atención.En
los últimos años, SBD ha hecho un gran progreso, se han incluido
SBD de alto voltaje de 150 V y 200 V, y también se ha desarrollado
con éxito el SBD de más de 1 kV hecho de nuevos materiales,
inyectando así nueva vitalidad y vitalidad en su aplicación.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta
confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
SI (AV) | 10(2×5)A |
VF (máx.) | 0.7V (@Tj=125°C) |
tj | 175 ºC |
VRRM | 100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
Modelo | Calificación | Paquete |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | TO-263 |
MBR10100R | MBR10100R | TO-252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||
Voltaje inverso máximo repetitivo | VRRM | 100 | V | ||
Tensión máxima de bloqueo de CC | VCC | 100 | V | ||
Corriente directa promedio | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | por dispositivo por diodo | SI (AV) | 10 5 | A |
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) | IFSM | 120 | A | ||
Temperatura máxima de unión | tj | 175 | ºC | ||
Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -40~+150 | ºC | ||
RoHS aprobó al guardia Ring For Overvoltage Protection del diodo de Schottky
Carro de la investigación
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