Diodo de gran intensidad de Schottky de la resistencia para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
Number modelo:MBR20100
Lugar del origen:Dongguan China
Cantidad de orden mínima:negociación
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:2000000 por mes
Plazo de expedición:negociación
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Dongguan Guangdong China
Dirección:
Sitio 810, unidad 2, edificio 5, centro comercial de Huixing, camino No.1, Zhongshan ciudad Dongguan, GUANGDONG, de Dong, Shilong de Dongsheng NC 523326
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Diodo de Schottky de resistencia de gran intensidad para fuente de
alimentación de interruptor de alta frecuencia
MBR20100.pdf
La estructura del circuito interno de un rectificador Schottky
típico se basa en un sustrato semiconductor de tipo N, sobre el
cual se forma una capa epitaxial N con arsénico como dopante.El
ánodo utiliza materiales como el molibdeno o el aluminio para
formar la capa de barrera.El dióxido de silicio (SiO2) se utiliza
para eliminar el campo eléctrico en el área del borde y mejorar el
valor de tensión soportada del tubo.El sustrato de tipo N tiene una
resistencia en estado activado muy pequeña y su concentración de
dopaje es un 100 % más alta que la de la capa H.Se forma una capa
de cátodo N+ debajo del sustrato para reducir la resistencia de
contacto del cátodo.Al ajustar los parámetros estructurales, se
forma una barrera de Schottky entre el sustrato de tipo N y el
metal del ánodo, como se muestra en la figura.Cuando se aplica una
polarización directa a ambos extremos de la barrera de Schottky (el
metal del ánodo está conectado al polo positivo de la fuente de
alimentación y el sustrato de tipo N está conectado al polo
negativo de la fuente de alimentación), la capa de barrera de
Schottky se vuelve más estrecho y su resistencia interna se vuelve
más pequeña;de lo contrario, si se aplica una polarización inversa
a ambos extremos de la barrera de Schottky, la capa de la barrera
de Schottky se vuelve más ancha y su resistencia interna se vuelve
más grande.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta
confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
SI (AV) | 10(2×5)A |
VF (máx.) | 0.7V (@Tj=125°C) |
tj | 175 ºC |
VRRM | 100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
Modelo | Calificación | Paquete |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | TO-263 |
MBR10100R | MBR10100R | TO-252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||
Voltaje inverso máximo repetitivo | VRRM | 100 | V | ||
Tensión máxima de bloqueo de CC | VCC | 100 | V | ||
Corriente directa promedio | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | por dispositivo por diodo | SI (AV) | 10 5 | A |
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) | IFSM | 120 | A | ||
Temperatura máxima de unión | tj | 175 | ºC | ||
Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -40~+150 | ºC | ||
Diodo de gran intensidad de Schottky de la resistencia para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
Carro de la investigación
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