Diodo común de Schottky de la estructura del cátodo para los usos de la protección de la polaridad
Number modelo:MBR10200
Lugar del origen:Dongguan China
Cantidad de orden mínima:negociación
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:2000000 por mes
Plazo de expedición:negociación
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Dongguan Guangdong China
Dirección:
Sitio 810, unidad 2, edificio 5, centro comercial de Huixing, camino No.1, Zhongshan ciudad Dongguan, GUANGDONG, de Dong, Shilong de Dongsheng NC 523326
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Detalles del producto
Diodo Schottky de estructura de cátodo común para aplicaciones de
protección de polaridad
MBR10200.pdf
Un diodo Schottky es un dispositivo metal-semiconductor hecho de un
metal noble (oro, plata, aluminio, platino, etc.) A como electrodo
positivo y un semiconductor tipo N B como electrodo negativo, y la
barrera potencial formada en el superficie de contacto de los dos
tiene características de rectificación.Debido a que hay una gran
cantidad de electrones en el semiconductor de tipo N y solo una
pequeña cantidad de electrones libres en el metal noble, los
electrones se difunden desde B con alta concentración hacia A con
baja concentración.Obviamente, no hay agujeros en el metal A, y no
hay difusión de agujeros de A a B. A medida que los electrones
continúan difundiéndose de B a A, la concentración de electrones en
la superficie de B disminuye gradualmente y la neutralidad
eléctrica de la superficie se destruye. , formando así una barrera
de potencial, y la dirección de su campo eléctrico es B→A.Sin
embargo, bajo la acción del campo eléctrico, los electrones en A
también producirán un movimiento de deriva desde A→B, debilitando
así el campo eléctrico formado debido al movimiento de
difusión.Cuando se establece una región de carga espacial de cierto
ancho, el movimiento de deriva de electrones causado por el campo
eléctrico y el movimiento de difusión de electrones causado por
diferentes concentraciones alcanzan un equilibrio relativo,
formando una barrera de Schottky.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta
confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
SI (AV) | 10(2×5)A |
VF (máx.) | 0.7V (@Tj=125°C) |
tj | 175 ºC |
VRRM | 100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
Modelo | Calificación | Paquete |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | TO-263 |
MBR10100R | MBR10100R | TO-252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||
Voltaje inverso máximo repetitivo | VRRM | 100 | V | ||
Tensión máxima de bloqueo de CC | VCC | 100 | V | ||
Corriente directa promedio | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | por dispositivo por diodo | SI (AV) | 10 5 | A |
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) | IFSM | 120 | A | ||
Temperatura máxima de unión | tj | 175 | ºC | ||
Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -40~+150 | ºC | ||
Diodo común de Schottky de la estructura del cátodo para los usos de la protección de la polaridad
Carro de la investigación
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