Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de la energía baja para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor

Number modelo:Diodos Schottky
Lugar del origen:Dongguan China
Cantidad de orden mínima:negociación
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:2000000 por mes
Plazo de expedición:negociación
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Dongguan Guangdong China
Dirección: Sitio 810, unidad 2, edificio 5, centro comercial de Huixing, camino No.1, Zhongshan ciudad Dongguan, GUANGDONG, de Dong, Shilong de Dongsheng NC 523326
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Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de potencia baja para la fuente de alimentación del interruptor de alta frecuencia

MBR10100.pdf


El diodo Schottky lleva el nombre de su inventor, el Dr. Schottky (Schottky), y SBD es la abreviatura de Schottky Barrier Diode (Schottky Barrier Diode, abreviado como SBD).SBD no se fabrica según el principio de contacto de semiconductores de tipo P y semiconductores de tipo N para formar la unión PN, sino mediante el principio de unión metal-semiconductor formada por contacto de metal y semiconductor.Por lo tanto, SBD también se denomina diodo de metal-semiconductor (contacto) o diodo de barrera de superficie, que es un tipo de diodo portador caliente.


Características

1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS

Aplicaciones

1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación

2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad

CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES

SI (AV)

10(2×5)A

VF (máx.)

0.7V (@Tj=125°C)

tj

175 ºC

VRRM

100 V

MENSAJE DEL PRODUCTO

Modelo

Calificación

Paquete

MBR10100

MBR10100

TO-220C

MBRF10100

MBRF10100

TO-220F

MBR10100S

MBR10100S

TO-263

MBR10100R

MBR10100R

TO-252

MBR10100V

MBR10100V

TO-251

MBR10100C

MBR10100C

TO-220

VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)

Parámetro


Símbolo


Valor


Unidad

Voltaje inverso máximo repetitivo

VRRM

100

V

Tensión máxima de bloqueo de CC

VCC

100

V

Corriente directa promedio

TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)


por dispositivo


por diodo

SI (AV)

10 5

A


Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC)

IFSM

120

A

Temperatura máxima de unión

tj

175

ºC

Rango de temperatura de almacenamiento

TSTG

-40~+150

ºC


China Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de la energía baja para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor supplier

Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de la energía baja para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor

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