Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de la energía baja para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
Number modelo:Diodos Schottky
Lugar del origen:Dongguan China
Cantidad de orden mínima:negociación
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:2000000 por mes
Plazo de expedición:negociación
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Evaluación de proveedor
Dongguan Guangdong China
Dirección:
Sitio 810, unidad 2, edificio 5, centro comercial de Huixing, camino No.1, Zhongshan ciudad Dongguan, GUANGDONG, de Dong, Shilong de Dongsheng NC 523326
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de potencia
baja para la fuente de alimentación del interruptor de alta
frecuencia
MBR10100.pdf
El diodo Schottky lleva el nombre de su inventor, el Dr. Schottky
(Schottky), y SBD es la abreviatura de Schottky Barrier Diode
(Schottky Barrier Diode, abreviado como SBD).SBD no se fabrica
según el principio de contacto de semiconductores de tipo P y
semiconductores de tipo N para formar la unión PN, sino mediante el
principio de unión metal-semiconductor formada por contacto de
metal y semiconductor.Por lo tanto, SBD también se denomina diodo
de metal-semiconductor (contacto) o diodo de barrera de superficie,
que es un tipo de diodo portador caliente.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta
confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
SI (AV) | 10(2×5)A |
VF (máx.) | 0.7V (@Tj=125°C) |
tj | 175 ºC |
VRRM | 100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
Modelo | Calificación | Paquete |
MBR10100 | MBR10100 | TO-220C |
MBRF10100 | MBRF10100 | TO-220F |
MBR10100S | MBR10100S | TO-263 |
MBR10100R | MBR10100R | TO-252 |
MBR10100V | MBR10100V | TO-251 |
MBR10100C | MBR10100C | TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | ||
Voltaje inverso máximo repetitivo | VRRM | 100 | V | ||
Tensión máxima de bloqueo de CC | VCC | 100 | V | ||
Corriente directa promedio | TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) | por dispositivo por diodo | SI (AV) | 10 5 | A |
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) | IFSM | 120 | A | ||
Temperatura máxima de unión | tj | 175 | ºC | ||
Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -40~+150 | ºC | ||
Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de la energía baja para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
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