Diodo láser de estado sólido de la bomba, módulo desmontable del laser del diodo de la fibra de 808nm 30W
Lugar del origen:China
Número de modelo:K808DAECN-30.00W
Cantidad de orden mínima:1 Piece / Pieces
Plazo de expedición:Cuatro-ocho semanas
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:100,000/Year
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2do La Florida, No.4A Hangfeng Rd. Fengtai Pekín 100070
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Características:
longitud de onda 808nm
30W de potencia de salida
diámetro de base de la fibra de los 400μm
0,22 N.A.
Usos:
Bombeo de láser de estado sólido
Uso médico
Tratamiento de materiales
| Especificaciones (25℃) | Símbolo | Unidad | K808DAECN-30.00W | |||
| Mínimo | Típico | Máximo | ||||
| Datos ópticos | Poder de la CW-salida | Po | W | 30 | - | - |
| Longitud de onda de centro | λc | nanómetro | 808±3 | |||
| Anchura espectral (FWHM) | △λ | nanómetro | - | 3 | - | |
| Cambio de la longitud de onda con temperatura | △λ/△T | nm/℃ | - | 0,3 | - | |
| Cambio de la longitud de onda con la corriente | △λ/△A | nm/A | - | 1 | - | |
| Datos eléctricos | Eficacia Eléctrico-a-óptica | PE | % | - | 45 | - |
| Corriente del umbral | Ith | A | - | 9 | 10 | |
| Corriente de funcionamiento | IOP | A | - | 1,8 | - | |
| Voltaje de funcionamiento | Vop | V | - | - | 8 | |
| Eficacia de la cuesta | η | W/A | - | 3 | - | |
| Datos de la fibra | Diámetro de base | Dcore | µm | - | 400 | - |
| Abertura numérica | NA | - | - | 0,22 | - | |
| Terminación de la fibra | - | - | - | SMA905 | - | |
| Aislamiento de la reacción | - | Rt | (Ω de K)/β (25℃) | 10±3%/3477 | ||
| Otros | ESD | Vesd | V | - | - | 500 |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | ℃ | -20 | - | 70 | |
| Temporeros que sueldan de la ventaja | Tls | ℃ | - | - | 260 | |
| Tiempo que suelda de la ventaja | t | sec | - | - | 10 | |
| Temperatura de caso de funcionamiento | Top | ℃ | 15 | - | 35 | |
| Humedad relativa | Derecho | % | 15 | - | 75 | |
Diodo láser de estado sólido de la bomba, módulo desmontable del laser del diodo de la fibra de 808nm 30W
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