1200V se doblan el módulo de poder de IGBT FF75R12RT4 foso rápido de 34 milímetros/Fieldstop IGBT

Número de modelo:FF1500R12IE5
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 set
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:1000sets
Plazo de expedición:25 días después de firmar el contrato
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección: 27 P, bloque B, Duhui 100, Zhonghang Road, distrito de Futian Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 9 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

IGBT-módulos FF150R12RT4 el semipuente 34 milímetro 1200 V, 150 la confiabilidad más alta IGBT del módulo dual de los módulos 34m m de A


Usos típicos
• Convertidores de poder más elevado
• Impulsiones del motor
• Sistemas de UPS
Características eléctricas
• Temperatura extendida Tvj de la operación de Op. Sys.
• Pérdidas bajas de la transferencia
• VCEsat bajo
• Tvj de Op. Sys. = 150°C
• VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
Características mecánicas
• Embase aislado
• Vivienda estándar


China 1200V se doblan el módulo de poder de IGBT FF75R12RT4 foso rápido de 34 milímetros/Fieldstop IGBT supplier

1200V se doblan el módulo de poder de IGBT FF75R12RT4 foso rápido de 34 milímetros/Fieldstop IGBT

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