El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop
Número de modelo:FF50R12RT4
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 set
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:1000sets
Plazo de expedición:25 días después de firmar el contrato
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
27 P, bloque B, Duhui 100, Zhonghang Road, distrito de Futian Shenzhen, China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Infineon FF50R12RT4 34 milímetros bien conocidos 1200V se dobla los módulos de IGBT con el foso/el fieldstop IGBT4 y el emisor rápidos controlado
Usos típicos
• Convertidores de poder más elevado
• Impulsiones del motor
• Sistemas de UPS
Características eléctricas
• Temperatura extendida Tvj de la operación de Op. Sys.
• Pérdidas bajas de la transferencia
• VCEsat bajo
• Tvj de Op. Sys. = 150°C
• VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
Características mecánicas
• Embase aislado
• Vivienda estándar
IGBT, inversor
Valores clasificados máximos
| voltaje del Colector-emisor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corriente de colector continua de DC | TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C | Nom de IC | 50 | A |
| Corriente de colector máxima repetidor | tP = 1 ms | ICRM | 100 | A |
| Disipación de poder total | TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C | Ptot | 285 | W |
| voltaje máximo del Puerta-emisor | VGES | +/--20 | V |
Valores característicos
| voltaje de saturación del Colector-emisor | IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C | VCE sentado | 1,85 2,15 2,25 | 2,15 | V VV | |
| Voltaje del umbral de la puerta | IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Carga de la puerta | VGE = -15 V… +15 V | QG | 0,38 | µC | ||
| Resistor interno de la puerta | Tvj = 25°C | RGint | 4,0 | Ω | ||
| Capacitancia de la entrada | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 2,80 | N-F | ||
| Capacitancia reversa de la transferencia | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,10 | N-F | ||
| corriente del atajo del Colector-emisor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | HIELA | 1,0 | mA | ||
| corriente de la salida del Puerta-emisor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 100 | nA | ||
| Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | TD encendido | 0,13 0,15 0,15 | µs µs µs | ||
| Tiempo de subida, carga inductiva | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | tr | 0,02 0,03 0.035 | µs µs µs | ||
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | TD apagado | 0,30 0,38 0,40 | µs µs µs | ||
| Tiempo de caída, carga inductiva | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | tf | 0.045 0,08 0,09 | µs µs µs | ||
| Pérdida de energía de abertura por pulso | IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | Eón | 4,50 6,50 7,50 | 19,0 30,0 36,0 | ||
| Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso | IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | Eoff | 2,50 4,00 4,50 | mJ mJ mJ | ||
| Datos del SC | ≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C | ISC | 180 | mJ mJ mJ | ||
| Resistencia termal, empalme al caso | IGBT/por IGBT | RthJC | 0,53 | K/W | ||
| Resistencia termal, disipador de calor del caseto | CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 con (m·K)/λgrease = 1 con (m·K) | RthCH | 0.082 | K/W | ||
| Temperatura bajo condiciones de la transferencia | Tvj de Op. Sys. | -40 | 150 | °C |
El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop
Carro de la investigación
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