El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop

Número de modelo:FF50R12RT4
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 set
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:1000sets
Plazo de expedición:25 días después de firmar el contrato
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: 27 P, bloque B, Duhui 100, Zhonghang Road, distrito de Futian Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 9 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Infineon FF50R12RT4 34 milímetros bien conocidos 1200V se dobla los módulos de IGBT con el foso/el fieldstop IGBT4 y el emisor rápidos controlado



Usos típicos

• Convertidores de poder más elevado

• Impulsiones del motor

• Sistemas de UPS


Características eléctricas

• Temperatura extendida Tvj de la operación de Op. Sys.

• Pérdidas bajas de la transferencia

• VCEsat bajo

• Tvj de Op. Sys. = 150°C

• VCEsat con coeficiente de temperatura positivo


Características mecánicas

• Embase aislado

• Vivienda estándar


IGBT, inversor

Valores clasificados máximos

voltaje del Colector-emisorTvj = 25°CVCES1200V
Corriente de colector continua de DCTC = 100°C, Tvj máximo = 175°CNom de IC50A
Corriente de colector máxima repetidortP = 1 msICRM100A
Disipación de poder totalTC = 25°C, Tvj máximo = 175°CPtot285W
voltaje máximo del Puerta-emisorVGES+/--20V

Valores característicos

voltaje de saturación del Colector-emisorIC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C
IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C
VCE sentado1,85
2,15
2,25
2,15V
VV
Voltaje del umbral de la puertaIC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°CVGEth5,25,86,4V
Carga de la puertaVGE = -15 V… +15 VQG0,38µC
Resistor interno de la puertaTvj = 25°CRGint4,0
Capacitancia de la entradaf = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 VCies2,80N-F
Capacitancia reversa de la transferenciaf = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 VCres0,10N-F
corriente del atajo del Colector-emisorVCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°CHIELA1,0mA
corriente de la salida del Puerta-emisorVCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°CIGES100nA
Tiempo de retraso de abertura, carga inductivaIC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C
TD encendido0,13 0,15
0,15
µs
µs
µs
Tiempo de subida, carga inductivaIC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C
tr0,02 0,03
0.035
µs
µs
µs
Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductivaIC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C
TD apagado0,30 0,38
0,40
µs
µs
µs
Tiempo de caída, carga inductivaIC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C
tf0.045 0,08
0,09
µs
µs
µs
Pérdida de energía de abertura por pulsoIC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C
Eón4,50
6,50
7,50
19,0
30,0
36,0
Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulsoIC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C
Eoff2,50
4,00
4,50
mJ
mJ
mJ
Datos del SC≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C
ISC180mJ
mJ
mJ
Resistencia termal, empalme al casoIGBT/por IGBTRthJC0,53K/W
Resistencia termal, disipador de calor del casetoCADA IGBT/por IGBT
λPaste = 1 con (m·K)/λgrease = 1 con (m·K)
RthCH0.082K/W
Temperatura bajo condiciones de la transferenciaTvj de Op. Sys.-40150°C

China El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop supplier

El módulo de poder de Infineon IGBT FF50R12RT4 34m m 1200V se dobla IGBT con el foso rápido/Fieldstop

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