1200V serie C dual de la impulsión de poder del módulo FF200R12KT4 del puente del inversor IGBT media 62m m
Número de modelo:FF200R12KT4
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 set
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:1000sets
Plazo de expedición:25 días después de firmar el contrato
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
27 P, bloque B, Duhui 100, Zhonghang Road, distrito de Futian Shenzhen, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
serie C del semipuente 62m m 1200 V, módulo de impulsión dual de poder de los módulos FF200R12KT4 del inversor IGBT
Valores clasificados máximos
| voltaje del Colector-emisor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corriente de colector continua de DC | TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C | Nom de IC IC | 200 320 | A A |
| Corriente de colector máxima repetidor | tP = 1 ms | ICRM | 400 | A |
| Disipación de poder total | TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C | Ptot | 1100 | W |
| voltaje máximo del Puerta-emisor | VGES | +/--20 | V |
Valores característicos
| voltaje de saturación del Colector-emisor | IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C | VCE sentado | 1,75 2,05 2,10 | 2,15 | V VV | |
| Voltaje del umbral de la puerta | IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Carga de la puerta | VGE = -15 V… +15 V | QG | 1,80 | µC | ||
| Resistor interno de la puerta | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
| Capacitancia de la entrada | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 14,0 | N-F | ||
| Capacitancia reversa de la transferencia | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,50 | N-F | ||
| corriente del atajo del Colector-emisor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | HIELA | 5,0 | mA | ||
| corriente de la salida del Puerta-emisor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | TD encendido | 0,16 0,17 0,18 | µs µs µs | ||
| Tiempo de subida, carga inductiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | tr | 0.045 0,04 0,50 | µs µs µs | ||
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | TD apagado | 0,45 0,52 0,54 | µs µs µs | ||
| Tiempo de caída, carga inductiva | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | tf | 0,10 0,16 0,16 | µs µs µs | ||
| Pérdida de energía de abertura por pulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | Eón | 10,0 15,0 17,0 | 19,0 30,0 36,0 | ||
| Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C | Eoff | 14,0 20,0 23,0 | mJ mJ mJ | ||
| Datos del SC | ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C | ISC | 800 | mJ mJ mJ | ||
| Resistencia termal, empalme al caso | IGBT/por IGBT | RthJC | 0.135 | K/W | ||
| Resistencia termal, disipador de calor del caseto | CADA IGBT/por IGBT λPaste = 1 con (m·K)/λgrease = 1 con (m·K) | RthCH | 0.034 | K/W | ||
| Temperatura bajo condiciones de la transferencia | Tvj de Op. Sys. | -40 | 150 | °C |
1200V serie C dual de la impulsión de poder del módulo FF200R12KT4 del puente del inversor IGBT media 62m m
Carro de la investigación
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