Módulo automotriz de Infineon IGBT, convertidores FF1200R12IE5 del módulo del poder más elevado IGBT
Número de modelo:FF1200R12IE5
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1 set
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de la fuente:1000sets
Plazo de expedición:25 días después de firmar el contrato
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
27 P, bloque B, Duhui 100, Zhonghang Road, distrito de Futian Shenzhen, China
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
El motor automotriz de los convertidores de poder más elevado de los módulos de Infineon Technologies IGBT FF1200R12IE5 conduce
Usos típicos
• Convertidores de poder más elevado
• Impulsiones del motor
• Sistemas de UPS
Características eléctricas
• Temperatura de funcionamiento extendida Tvj de Op. Sys.
• Alta capacidad del cortocircuito
• Robustez imbatible
• Tvj de Op. Sys. = 175°C
• Foso IGBT 5
Características mecánicas
• Paquete con CTI>400
• Densidad de poder más elevado
• Capacidad del poder más elevado y del ciclo termal
• Altas distancias del contorneamiento y de la liquidación
Inversor de IGBT
Valores clasificados máximos
| voltaje del Colector-emisor | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Corriente de colector continua de DC | TC = 80°C, Tvj máximo = 175°C | Nom de IC | 1200 | A |
| Corriente de colector máxima repetidor | tP = 1 ms | ICRM | 2400 | A |
| voltaje máximo del Puerta-emisor | VGES | +/--20 | V |
Tipo del Min. de los valores característicos. máximo.
| voltaje de saturación del Colector-emisor | IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 175°C | VCE sentado | 1,70 2,00 2,15 | 2,15 2,45 2,60 | VVV | |
| Voltaje del umbral de la puerta | IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,25 | 5,80 | 6,35 | V |
| Carga de la puerta | VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V | QG | 5,75 | µC | ||
| Resistor interno de la puerta | Tvj = 25°C | RGint | 0,75 | Ω | ||
| Capacitancia de la entrada | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 65,5 | N-F | ||
| Capacitancia reversa de la transferencia | f = 1 megaciclo, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 2,60 | N-F | ||
| corriente del atajo del Colector-emisor | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | HIELA | 5,0 | mA | ||
| corriente de la salida del Puerta-emisor | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| Tiempo de retraso de abertura, carga inductiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C | TD encendido | 0,20 0,23 0,25 | µs µs µs | ||
| Tiempo de subida, carga inductiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C | tr | 0,16 0,17 0,18 | µs µs µs | ||
| Tiempo de retraso de la vuelta-apagado, carga inductiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C | TD apagado | 0,48 0,52 0,55 | µs µs µs | ||
| Tiempo de caída, carga inductiva | IC = 1200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C | tf | 0,08 0,11 0,13 | µs µs µs | ||
| Pérdida de energía de abertura por pulso | IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGon = 0,82 Ω Tvj = 175°C | Eón | 80,0 120 160 | mJ mJ mJ | ||
| Pérdida de energía de la vuelta-apagado por pulso | IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C RGoff = 0,82 Ω Tvj = 175°C | Eoff | 130 160 180 | mJ mJ mJ | ||
| Datos del SC | ≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs del ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C | ISC | 4000 | A | ||
| Resistencia termal, empalme al caso | IGBT/per IGBT | RthJC | 28,7 | K/kW | ||
| Resistencia termal, caso al disipador de calor | IGBT/per IGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) | RthCH | 22,1 | K/kW | ||
| Temperatura bajo condiciones de la transferencia | Tvj de Op. Sys. | -40 | 175 | °C |
Módulo automotriz de Infineon IGBT, convertidores FF1200R12IE5 del módulo del poder más elevado IGBT
Carro de la investigación
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