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Sensor fotoeléctrico infrarrojo G12181-003A (fotodiodo PIN de InGaAs) para sistemas de comunicación óptica
Áreas de aplicación:
Características principales:
Parámetro |
Especificación (Típ. / Máx.) |
Condiciones de prueba |
---|---|---|
Área fotosensible | φ0.3 mm | - |
Número de elementos de detección | 1 (Elemento único) | - |
Método de refrigeración | Sin refrigeración (refrigeración ambiente pasiva) | - |
Rango de respuesta espectral | 0.9 – 1.7 μm | Cubre bandas NIR críticas (por ejemplo, 1.3/1.55 μm para telecomunicaciones) |
Longitud de onda de sensibilidad máxima | ~1.55 μm | - |
Fotosensibilidad | Típ. 1.1 A/W | λ = 1.55 μm, Voltaje inverso (Vᵣ) = 5V, Tₐ = 25℃ |
Corriente oscura | Máx. 0.3 nA | Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃, Sin luz incidente |
Frecuencia de corte (-3dB) | Típ. 800 MHz | Vᵣ = 5V, Resistencia de carga (Rₗ) = 50Ω, λ = 1.3 μm |
Capacitancia de unión | Típ. 4 pF | Vᵣ = 5V, Frecuencia (f) = 1 MHz |
Potencia equivalente de ruido (NEP) | Típ. 3.5×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² | λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
Detectividad (D*) | Típ. 7.2×10¹² cm·Hz¹/²/W | λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25℃ |
Resistencia de derivación | 300 – 1200 MΩ | Vᵣ = 0V, Tₐ = 25℃, Sin luz |
Voltaje inverso máximo (Vᵣₘₐₓ) | 20 V | Tₐ = 25℃ |
Rango de temperatura de funcionamiento | -40℃ – 100℃ | Rendimiento estable en entornos industriales hostiles |
Rango de temperatura de almacenamiento | -55℃ – 125℃ | - |
Coeficiente de temperatura de sensibilidad | 1.08 veces/℃ | En relación con 25℃, λ = 1.55 μm |