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YJJ S4111-35Q La matriz de fotodiodos de silicio se utiliza en la banda ultravioleta al infrarrojo cercano

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Provincia / Estado:guangdong
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YJJ S4111-35Q La matriz de fotodiodos de silicio se utiliza en la banda ultravioleta al infrarrojo cercano

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Número de modelo :S4111-35Q
Lugar de origen :Japón
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :Los datos de las operaciones de transferencia de dinero a través de los servicios de transferencia d
Capacidad de suministro :500
Tiempo de entrega :5 a 8 días
Detalles del embalaje :Porción en plato
Tamaño del pixel :0.9 × 4,4 mm
Cuenta del pixel :35
Embalaje :Las demás
Categoría del paquete :DIP de 40 pines
Tipo de scintillador :No hay
Voltagem inversa :15 V
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Descripción del producto:

S4111-35Q La matriz de fotodiodos de silicio se utiliza en la banda ultravioleta al infrarrojo cercano

Características:

Una matriz de fotodiodos de silicio de 35 píxeles adecuada para la banda ultravioleta al infrarrojo cercano

S4111-35Q es una matriz lineal de fotodiodos de silicio instalados en un DIP cerámico (paquete doble en línea).con un alcance de transmisión superior a 30 mm,Dado que todos los píxeles pueden adoptar el sesgo inverso de la lectura de almacenamiento de carga, el S4111-35Q puede detectar poca luz con alta sensibilidad. Minimizar el cruce de pitadas entre píxeles para mantener la pureza de la señal.Se puede utilizar como una ventana de recepción de luz para conectar filtros especiales (productos personalizados).

Características

- Superficie muy expuesta

Baja transmisión transversal

Más sensibilidad al infrarrojo cercano

Corriente oscura baja

Tamaño de los píxeles (cada píxel): 0,9 × 4,4 mm

Número de píxeles: 35

Cerámicas de encapsulación

Categoría del paquete: DIP de 40 pines

No hay tipo de scintillador

Tipo refrigerado sin enfriamiento

Válvula de reversión (valor máximo) 15 V

El rango de longitudes de onda de sensibilidad es de 190 a 1100 nm

La longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) es de 960 nm.

Sensibilidad fotosensible (valor típico): 0,58 A/W

Corriente oscura (valor máximo) 10 pA

Tiempo de aumento (valor típico) 1,2 μs

Capacidad de unión (valor típico) 550 pF

El valor típico de la condición de medición Ta = 25°C, a menos que se especifique lo contrario

Para cada píxel, sensibilidad fotosensible: λ = 960 nm, corriente oscura: VR=10 mV, tiempo de subida: VR=0 V, capacidad de unión: VR=0 V

Shenzhen Yijiajie Electronic Technology Co., Ltd. presta servicios principalmente a los fabricantes OEM en la venta de productos de sensores.Proporcionamos ventas de productos y servicios de soporte técnico en China para fabricantes de renombre mundialTambién somos actualmente un proveedor profesional de productos de detección y control en China y Hong Kong.La empresa de Shenzhen está ubicada en la intersección de Shennan Middle Road y Huaqiang North Road en Shenzhen.Mientras tanto, la compañía tiene una gran cantidad de inventario spot en Shenzhen y Hong Kong y puede realizar pedidos directamente desde el extranjero con entrega rápida.Esperamos cooperar con fabricantes nacionales relacionados para proporcionar a su empresa productos de alta calidad y satisfactorios y hacer que sus productos sean más competitivosEsperamos sinceramente cooperar con usted.

El Slas especificaciones:

longitud de onda de sensibilidad máxima 960 nm
Sensibilidad a la luz 0.58 A/W
Corriente oscura 10 pA
Tiempo de elevación 1.2 μs

YJJ S4111-35Q La matriz de fotodiodos de silicio se utiliza en la banda ultravioleta al infrarrojo cercano

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