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Descripción del producto:
Misión de la dosis de radiación UV por fotodiodo UV basado en GT-ABC-L GaN
Características:
Características generales:
El fotodiodo de banda ancha UVA+UVB+UVC
Funcionamiento en modo fotovoltaico
Cubierta de metal de la clase lTO-46
Buena ceguera visible
Alta sensibilidad y baja corriente oscura
Aplicaciones:Monitoreo del índice UV, medición de dosis de radiación UV, detección de llama
Especificaciones:Parámetros | El símbolo | Valor | Unidad |
Calificaciones máximas | |||
Rango de temperatura de funcionamiento | En el extremo superior | -25-85 años | oC |
Rango de temperatura de almacenamiento | - ¿ Qué? | -40-85 años | oC |
Temperatura de soldadura (3 s) | Tzol | 260 | oC |
Válvula de reversa | Vr-máx. | -10 años | V. |
Características generales (25 oC) | |||
Tamaño del chip | A. No | 1 | En mm2 |
Corriente oscura (Vr = -1 V) | Identificación | El valor de la | nA |
Coeficiente de temperatura (@265 nm) | Tc | 0.05 | %/ oC |
Capacidad (a 0 V y 1 MHz) | Cp | 18 | pF |
Características de la respuesta espectral (25 oC) | |||
longitud de onda de la respuesta máxima | El | 355 | nm |
Respuesta máxima (a 355 nm) | Rmax | 0.20 | A/W |
El rango de respuesta espectral (R=0,1 × Rmax) | - | Las demás: | nm |
La relación de rechazo UV visible (Rmax/R400 nm) | - | >104 | - |
Especificaciones:
longitud de onda máxima | 565 nm |
Si - Corriente hacia adelante | 50 mA |
Duración | 9.1 mm |
Encapsulación | En bruto |